[發明專利]三維存儲器及其制備方法、電子設備

有效

• 申請號: 202010233601.2
• 申請日: 2020-03-28
• 公開（公告）號: CN111341775B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發明（設計）人: 吳林春;張坤;周文犀;夏志良
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H10B41/27
• 分類號: H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

本申請提供了三維存儲器及其制備方法、電子設備。其中，制備方法包括提供襯底。在襯底的一側形成第一疊層結構。形成貫穿第一疊層結構并延伸至襯底的多個第一溝道孔。形成填充第一溝道孔的刻蝕阻擋層。在第一疊層結構和刻蝕阻擋層上形成第二疊層結構。形成貫穿第二疊層結構的多個第二溝道孔。去除刻蝕阻擋層，以使得第一溝道孔與第二溝道孔連通形成溝道孔。通過將相關技術中一步形成的溝道孔，變成分兩步法進行制備。先形成靠近底部的第一溝道孔，隨后再形成其余的連通第一溝道孔的第二溝道孔。本申請提供的形成方法，可降低溝道孔的形成難度，并形成結構優異的溝道孔，提高溝道孔深度的均勻性。

技術領域

本申請屬于半導體技術領域，具體涉及三維存儲器及其制備方法、電子設備。

背景技術

由于三維存儲器的功耗低、質量輕、并且屬于性能優異的非易失存儲產品，在電子產品中得到了越來越廣泛的應用。但同時用戶對三維存儲器的期望值與要求也越來越高。例如，在疊層結構上通常需要形成溝道孔，以便于在該溝道孔中形成NAND串以將堆棧結構中的某些部件電性引出。但隨著三維存儲器層數的增多，即疊層結構深度的增加，導致該溝道孔的底部無法形成或其質量較差，大大增加了溝道孔的形成難度。

發明內容

鑒于此，本申請第一方面提供了一種三維存儲器的制備方法，所述制備方法包括：

提供襯底；

在所述襯底的一側形成第一疊層結構；

形成貫穿所述第一疊層結構并延伸至所述襯底的多個第一溝道孔；

形成填充所述第一溝道孔的刻蝕阻擋層；

在所述第一疊層結構和所述刻蝕阻擋層上形成第二疊層結構；

形成貫穿所述第二疊層結構的多個第二溝道孔，并使每個所述第二溝道孔分別對應露出每個所述第一溝道孔內的所述刻蝕阻擋層；以及

去除所述刻蝕阻擋層，以使得所述第一溝道孔與所述第二溝道孔連通形成溝道孔。

本申請提供的形成方法，通過將相關技術中一步形成的溝道孔，變成分兩步法進行制備。先形成靠近底部的第一溝道孔，隨后再形成其余的連通第一溝道孔的第二溝道孔。由于靠近底部的第一溝道孔是單獨制備的，因此無論第二疊層結構的厚度有多大，即無論第二溝道孔的深度有多大，均不會影響到底部的第一溝道孔的結構。因此，本申請提供的形成方法，可降低溝道孔的形成難度，并形成結構優異的溝道孔，提高溝道孔深度的均勻性。

其中，定義開設所述第一溝道孔的所述第一疊層結構的表面為第一表面，在垂直于所述第一表面的方向上所述溝道孔的深度與在平行于所述第一表面的方向上所述溝道孔的寬度之比為(50-1000)：1。

其中，定義開設所述第一溝道孔的所述第一疊層結構的表面為第一表面，在垂直于所述第一表面的方向上所述第一溝道孔的深度與在平行于所述第一表面的方向上所述第一溝道孔的寬度之比為(0.1-10)：1。

其中，定義開設所述第一溝道孔的所述第一疊層結構的表面為第一表面，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一溝道孔的深度與所述第二溝道孔的深度之比為1：(10-100)。

其中，定義開設所述第一溝道孔的所述第一疊層結構的表面為第一表面，在平行于所述第一表面的方向上，所述第一溝道孔靠近所述第二溝道孔的開口口徑大于所述第二溝道孔靠近所述第一溝道孔的開口口徑。

其中，“在所述襯底的一側形成第一疊層結構”包括：

在所述襯底的上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成第一疊層結構，并使所述第一疊層結構覆蓋所述犧牲層。

其中，在“去除所述刻蝕阻擋層”之后，還包括：

去除所述犧牲層以形成空槽；