[發明專利]一種TiCx 在審
| 申請號: | 202010231686.0 | 申請日: | 2020-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN111393168A | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 鄒芹;王明智;李艷國;趙玉成;婁志超 | 申請(專利權)人: | 燕山大學 |
| 主分類號: | C04B35/56 | 分類號: | C04B35/56;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司: | 大連東方專利代理有限責任公司 21212 | 代理人: | 趙淑梅;李洪福 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 tic base sub | ||
1.一種TiCx增強Ti3SiC2復合材料,其特征在于,所述復合材料是由TiCx增強相和Ti3SiC2基體所組成;所述TiCx的質量百分含量為5-45wt.%,其余為Ti3SiC2粉末,其中0.4≤x≤0.9或x=1.1。
2.根據權利要求1所述的TiCx增強Ti3SiC2復合材料,其特征在于,所述TiCx粉末的粒度為150nm以細。
3.根據權利要求1所述的TiCx增強Ti3SiC2復合材料,其特征在于,所述Ti3SiC2粉末的粒度為50-325目。
4.一種TiCx增強Ti3SiC2復合材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:制備TiCx粉末,其中0.4≤x≤0.9或x=1.1。
當0.4≤x≤0.9時,所需原料為Ti粉和TiC粉或TiC粉和石墨,所述Ti粉與所述TiC粉的摩爾比為4:6~9:1。
當x=1.1時,所需原料為TiC粉和石墨粉,所述TiC粉與石墨粉的摩爾比為9:1。
稱量所述原料,并在所述原料中加入分散劑,分散劑添加量為每100g混合粉末中加入0.2-0.5mL。
將稱量好的原料進行球磨,制得150nm以細的TiCx粉末;其中,球料質量比為10:1-20:1,球磨轉速350-600r/min,球磨時間20-60h;每轉60min停機20min。
S2:TiCx增強Ti3SiC2混合粉末的制備。
將粒度為50-325目的Ti3SiC2粉末與步驟S1制備的TiCx粉末進行球磨,所述TiCx的質量百分含量為5-45wt.%,其余為Ti3SiC2粉末,得到TiCx增強Ti3SiC2混合粉末;其中,球料質量比為2:1-8:1;球磨機轉速為200-450r/min;球磨時間為2-4h;每30min停機1min,交替運行。
S3:TiCx增強Ti3SiC2混合粉末的預處理。
將步驟S2制備的TiCx增強Ti3SiC2混合粉末進行預壓成型,壓力為20-300MPa,保壓時間為10-30s,得到預壓塊。然后,將預壓塊于50℃烘干2h。
S4:熱壓真空-保護氣氛燒結。
將步驟S3得到的所述預壓塊進行熱壓真空-保護氣氛燒結,燒結壓力20-50MPa,爐溫400℃前真空度為20-40Pa,爐溫加熱到400℃之后,通入保護Ar氣氛;燒結溫度為1100-2000℃,保溫5-60min,燒結結束制得TiCx增強Ti3SiC2復合材料。
5.根據權利要求4中所述的TiCx增強Ti3SiC2復合材料的制備方法,其特征在于:
在所述步驟S1中,所述Ti粉的粒度10μm,純度為99.9%;所述TiC粉的粒度10μm,純度為99.9%;所述石墨粉,其純度為分析純。
6.根據權利要求4中所述的TiCx增強Ti3SiC2復合材料的制備方法,其特征在于:
在所述步驟S1中所述分散劑為乙醇。
7.根據權利要求4中所述的TiCx增強Ti3SiC2復合材料的制備方法,其特征在于;
在所述步驟S1和S2的球磨過程中,采用的磨球為大球和小球,大球和小球的質量比為7:3;其中,大球直徑為8mm,小球直徑為5mm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于燕山大學,未經燕山大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010231686.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法





