[發明專利]半導體封裝方法在審
| 申請號: | 202010230916.1 | 申請日: | 2020-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN113725090A | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發明(設計)人: | 周輝星 | 申請(專利權)人: | 矽磐微電子(重慶)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 張相欽 |
| 地址: | 401331 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 方法 | ||
1.一種半導體封裝方法,其特征在于,包括:
將引線框固定于載板上,所述引線框包括具有引腳的至少一個引腳區;
將多個待封裝的裸片正面朝向所述引線框并設于所述引線框的引腳區;所述每一引腳區與至少兩個裸片對應,每一所述引腳區設有多個引腳,每一所述裸片與對應的所述引腳區中的至少一個引腳電連接,所述裸片的正面設有焊墊,所述裸片的所述焊墊與所述引腳對應;
形成第一包封層,所述第一包封層包覆所述引線框及多個所述裸片;
剝離所述載板;
形成連接所述引腳與所述焊墊的第一電連接部,以及位于所述引線框遠離所述裸片一側的布線結構;其中,所述布線結構與同一所述引腳區對應的各個裸片所對應的引腳電連接。
2.如權利要求1所述的半導體封裝方法,其特征在于,所述將引線框固定于載板上包括:
將所述引線框按預定位置排布于所述載板上;
形成膠粘層,使所述引線框通過所述膠粘層固定于所述載板上。
3.如權利要求2所述的半導體封裝方法,其特征在于,所述將所述引線框按預定位置排布于所述載板上包括:
將所述引線框排布于支撐板上形成引線框組件;
將所述引線框組件設于所述載板;其中,所述排布有引線框的一面朝向所述載板,并且所述引線框與所述預定位置對應;
去除所述支撐板。
4.如權利要求2所述的半導體封裝方法,其特征在于,所述引腳上設有通孔;所述裸片的所述焊墊與所述引腳對應包括:所述裸片的所述焊墊與所述引腳的通孔對應;
所述通孔中形成有所述膠粘層;所述在所述引腳上形成與所述焊墊電連接的第一電連接部包括:
去除位于所述通孔中的所述膠粘層;
在所述通孔中填充導電材料,形成第一電連接部。
5.如權利要求1所述的半導體封裝方法,其特征在于,所述引線框包括多個所述引腳區,所述引線框包括多個第一連桿及第二連桿,多個所述第一連桿圍合形成框架體,所述第二連桿設置在所述框架體內,以將所述框架體內分隔成多個所述引腳區,所述引腳區的引腳與所述第一連桿或者所述第二連桿連接。
6.如權利要求5所述的半導體封裝方法,其特征在于,所述引腳上設有通孔;
所述引腳與所述第一連桿相連,所述通孔設置在所述引腳背離該第一連桿的一側;或者,所述引腳與所述第二連桿相連,所述通孔設置在所述引腳背離該第二連桿的一側。
7.如權利要求5所述的半導體封裝方法,其特征在于,在所述引腳上形成與所述焊墊電連接的第一電連接部,以及位于所述引線框遠離所述裸片一側的布線結構之后得到封裝結構,所述半導體封裝方法還包括:
對所述封裝結構進行切割,將所述第一連桿與所述第二連桿去除。
8.如權利要求1所述的半導體封裝方法,其特征在于,所述布線結構通過第二電連接部與所述引腳電連接;
在形成連接所述引腳與所述焊墊的第一電連接部之后,形成位于所述引線框遠離所述裸片一側的布線結構之前,所述半導體封裝方法包括:
在所述引線框遠離所述裸片的一側設置與所述引腳電連接的第二電連接部,以及覆蓋至少部分所述引線框的第一介電層;其中,所述第二電連接部遠離所述引線框的表面露出所述第一介電層。
9.如權利要求8所述的半導體封裝方法,其特征在于,所述在所述引線框遠離所述裸片的一側設置與所述引腳電連接的第二電連接部,以及覆蓋露出的所述引線框的第一介電層包括:
在形成位于所述引線框遠離所述裸片的一側并與所述引腳電連接的第二電連接部;
在所述引線框上形成能夠覆蓋露出的所述引線框的第一介電層;
或,
在所述引線框上形成能夠覆蓋所述引線框的第一介電層;
在所述第一介電層上與所述引腳對應的位置形成開孔,所述開孔暴露部分所述引腳;
在所述開孔中填充導電材料形成所述第二電連接部。
10.如權利要求8所述的半導體封裝方法,其特征在于,所述布線結構包括位于所述第一介電層上的導電跡線及位于導電跡線之上的第三電連接部,在形成位于所述引線框遠離所述裸片一側的布線結構之后,所述半導體封裝方法還包括:
在所述布線結構上形成第二介電層;其中,所述第三電連接部遠離所述導電跡線的表面露出所述第二介電層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于矽磐微電子(重慶)有限公司,未經矽磐微電子(重慶)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010230916.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體封裝方法及半導體封裝結構
- 下一篇:半導體封裝方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





