[發明專利]一種原子層沉積技術制備單質鈀薄膜的方法

在審

• 申請號: 202010230844.0
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN111411345A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 江蘇邁納德微納技術有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/18
• 代理公司: 無錫市才標專利代理事務所(普通合伙) 32323
• 代理人: 田波

1.一種原子層沉積技術制備單質鈀薄膜的方法，其特征在于：所述方法包括鈀前驅體和肼類還原性前驅體。

2.根據權利要求1所述的一種原子層沉積技術制備單質鈀薄膜的方法，其特征在于：所述鈀前驅體可采用六氟乙酰丙酮鈀Pd(hfac)2。

3.根據權利要求1所述的一種原子層沉積技術制備單質鈀薄膜的方法，其特征在于：所述肼類還原性前驅體可采用無水肼、甲基肼、乙基肼、丙基肼、叔丁基肼等等C1-C5的烴鏈還原性前驅體，所述肼類還原劑結構式為R1R2N-NR3R4，其中R1、R2、R3、R4包括氫原子、C1-C5的烴鏈，R1、R2、R3、R4可以相同也可以不同。

4.根據權利要求1所述的一種原子層沉積技術制備單質鈀薄膜的方法，其特征在于：所述方法反應溫度為50-400℃，鈀源Pd(hfac)2為鈀前驅體，鈀源加熱溫度為120℃，肼類為還原性源，加熱溫度為30-70℃，運輸管路及ALD閥門的加熱溫度為150-200℃，保證前驅體源在氣相下運輸而不發生冷凝。

5.根據權利要求1所述的一種原子層沉積技術制備單質鈀薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

S1、將原子層沉積設備加熱至100-400℃溫度范圍值，抽真空后的極限壓力是0.1-10Pa；

S2、原子層沉積系統受熱均勻溫度范圍值為100-400℃，所受壓壓強范圍值為10-200Pa，加熱時間40min后，再開啟載氣流量范圍為10-200sccm；

S3、打開鈀源原子層沉積脈沖閥門，脈沖閥門的開啟時間范圍至為50-2000ms,使鈀源進入設備反應室，與襯底表面發生吸附并發生反應；

S4、采用惰性氣體作為載氣，清洗沒有反應完全的鈀源以及反應生成的六氟乙酰丙酮副產物，清洗時間范圍值為1-200s；

S5、打開肼類前驅體原子層沉積脈沖閥門，脈沖閥門的開啟時間范圍至為10-500ms，使得使肼類前驅體進入反應室，與襯底表面發生吸附并發生反應；

S6、用惰性氣體作為載氣，清洗沒有反應完全的還原性前驅體以及反應生成的氨類副產物；

S7、一個循環的單質鈀薄膜形成；

S8、通過控制循環次數，可以精確控制單質鈀薄膜的厚度。