[發(fā)明專利]一種立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010230283.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111348628A | 公開(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李艷國(guó);鄒芹;王明智;趙玉成;王志偉;鄒娟;尹育航 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 燕山大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C01B21/064 | 分類號(hào): | C01B21/064;C01B32/15;C01B32/18;C04B35/52;C04B35/5831;C04B35/622;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 大連東方專利代理有限責(zé)任公司 21212 | 代理人: | 趙淑梅;李洪福 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 立方 氮化 納米 金剛石 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料,其特征在于:碳納米蔥與立方氮化硼混合燒結(jié)制得立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料,其中,制備所用原料質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為:立方氮化硼占總質(zhì)量的15~50wt.%,余量為碳納米蔥。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料,其特征在于:立方氮化硼的化學(xué)組成為43.6%的硼和56.4%的氮,晶體中原子的排列方式為閃鋅礦結(jié)構(gòu),立方氮化硼的粒度0.5~5微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料,其特征在于:碳納米蔥的平均粒度約為5nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料,其特征在于:所述碳納米蔥是由爆轟法生產(chǎn)的納米金剛石經(jīng)過(guò)真空退火處理制備的,其成分為碳,晶體結(jié)構(gòu)為納米洋蔥結(jié)構(gòu),碳納米蔥為利用不同退火條件制得含金剛石晶體核心的碳納米蔥、含金剛石結(jié)構(gòu)核心的碳納米蔥、完整結(jié)構(gòu)碳納米蔥中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料,其特征在于:
含金剛石晶體核心的碳納米蔥制得立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料的維氏硬度在31~102GPa;
含金剛石結(jié)構(gòu)核心的碳納米蔥制得立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料的維氏硬度在56~118GPa;
完整結(jié)構(gòu)碳納米蔥制得立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料的維氏硬度在45~168GPa。
6.一種立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、真空退火處理制備碳納米蔥;
采用的原料為爆轟法制備的納米金剛石,其平均晶粒尺寸約為5nm,對(duì)納米金剛石進(jìn)行真空退火處理,退火溫度900~1900℃,真空度為1Pa,保溫0~2h,制得平均晶粒尺寸約為5nm的碳納米蔥;
S2、將立方氮化硼以總量的15~50wt.%與步驟S1制得的碳納米蔥進(jìn)行混合制得混合料;
將混合料裝進(jìn)行預(yù)壓成型,壓力為400~600MPa,保壓時(shí)間為30~60s,得到預(yù)后的樣品;
然后,把預(yù)壓后的樣品放入模具中進(jìn)行高溫高壓燒結(jié),制得立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:
在所述步驟S2中,高溫高壓燒結(jié)模具組裝工藝為:
先將預(yù)壓后的樣品放BN坩堝中備用,把帶有凹槽的LaCrO3空心隔熱柱放入帶有空腔的MgO八面體中,LaCrO3空心隔熱柱與MgO八面體等高,然后將導(dǎo)電錸片卷成圓柱狀放入LaCrO3保溫材料中,并使其與LaCrO3柱內(nèi)壁和MgO八面體外邊緣緊密接觸,隨后在導(dǎo)電錸片卷成的空腔內(nèi)放入Al2O3柱,再放入裝有樣品的BN坩堝,添加Al2O3堵頭,并在堵頭上放串入電極的Al2O3四孔柱,最后利用Al2O3膠進(jìn)行密封完成組裝,組織后的燒結(jié)模具使用前需先置于恒溫干燥箱中干燥12h,且恒溫干燥箱內(nèi)的溫度為110℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:
在所述步驟S2中,高溫高壓燒結(jié)工藝為:
首先,在10-26h內(nèi)對(duì)樣品施加壓力8~25GPa;然后升溫至1600~2200℃,保溫5~60min,冷卻,緩慢卸壓,制得毛坯,將制備的毛坯進(jìn)行表面磨削、去毛刺處理,得到立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的立方氮化硼-納米聚晶金剛石復(fù)合材料的制備方法,其特征在于:
在所述步驟S1中對(duì)納米金剛石進(jìn)行真空退火處理,退火溫度為900~1000℃制備的是含金剛石晶體核心的碳納米蔥;退火溫度為1050~1350℃制得的是含金剛石結(jié)構(gòu)核心的碳納米蔥;退火溫度為1400~1900℃,制得的是完整結(jié)構(gòu)碳納米蔥。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于燕山大學(xué),未經(jīng)燕山大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010230283.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長(zhǎng)方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法





