[發明專利]一種晶粒定向排列多晶半透明氧化鋁陶瓷的制備方法有效
| 申請號： | 202010230273.0 | 申請日： | 2020-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN111484319B | 公開（公告）日： | 2022-07-05 |
| 發明（設計）人： | 王彬瑾;呂冠軍;林韓邦;李惠龍;董威;王啟華 | 申請（專利權）人： | 寧波南海泰格爾陶瓷有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/115 | 分類號： | C04B35/115;C04B35/117;C04B35/119;C04B35/622;C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;曾晨 |
| 地址： | 315511 浙江省寧波*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶粒 定向 排列 多晶 半透明 氧化鋁陶瓷 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶粒定向排列多晶半透明氧化鋁陶瓷的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、按設計氧化鋁陶瓷的組成配料；
S2、采用高壓壓鑄成型制備氧化鋁陶瓷坯體；
S3、向氧化鋁陶瓷坯體表面通過濺射摻雜氧化釔；所述濺射為電子射線真空濺射，濺射能量大于40kev;
S4、將表面摻雜后的氧化鋁陶瓷坯體在真空或氫氣氣氛下進行預燒結處理，預燒結溫度為900-1250℃，保溫時間為0.5-4小時；
S5、將經過預燒結的氧化鋁陶瓷坯體降溫至50-70℃時，浸入抑制劑中進行60℃恒溫浸滲3-8小時后進行常溫干燥；
S6、將干燥后的所述氧化鋁陶瓷坯體置于燒結爐中燒結，燒結溫度為1700℃-1900℃，同時，對氧化鋁陶瓷坯體施加4-10T磁場強度，保持時間為2-4小時，得到晶體定向排列的氧化鋁陶瓷。
2.根據權利要求1所述的晶粒定向排列多晶半透明氧化鋁陶瓷的制備方法，其特征在于，所述氧化鋁陶瓷的組成中，氧化鋁的含量大于99%。
3.根據權利要求1所述的晶粒定向排列多晶半透明氧化鋁陶瓷的制備方法，其特征在于，所述高壓壓鑄的壓力為350-550MPa。
4.根據權利要求1所述的晶粒定向排列多晶半透明氧化鋁陶瓷的制備方法，其特征在于，所述抑制劑為飽和氧化鈣水溶液。
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