[發明專利]晶圓處理裝置及晶圓處理方法在審
| 申請號： | 202010228540.0 | 申請日： | 2020-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN113448186A | 公開（公告）日： | 2021-09-28 |
| 發明（設計）人： | 李世鴻 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/42 | 分類號： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種晶圓處理裝置，其特征在于，包括：
噴淋單元，用于噴淋光刻膠去除液以去除晶圓表面的光刻膠；
加熱單元，安裝至所述噴淋單元，用于使所述光刻膠去除液升溫至一預設溫度。
2.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述噴淋單元包括：
光刻膠去除液噴嘴，用于噴出光刻膠去除液以去除光刻膠，所述光刻膠去除液包括硫酸-雙氧水混合溶液；
硫酸管路，用于提供硫酸，并連通至所述光刻膠去除液噴嘴；
雙氧水管路，用于提供雙氧水，并連通至所述光刻膠去除液噴嘴，所述光刻膠去除液噴嘴還用于噴淋雙氧水；
混液管路，分別連通至所述硫酸管路和雙氧水管路，并連通至所述光刻膠去除液噴嘴，以形成所述硫酸-雙氧水混合溶液流至所述光刻膠去除液噴嘴；
所述加熱單元安裝于所述混液管路外，用于對所述混液管路中的硫酸-雙氧水混合溶液進行加熱。
3.根據權利要求2所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述加熱單元包括擋片，所述擋片設置所述光刻膠去除液噴嘴的外圍，所述加熱單元還包括至少兩個加熱燈，均勻分布于所述擋片表面。
4.根據權利要求2所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述噴淋單元還包括臭氧去離子水噴嘴，用于噴出溶有臭氧的去離子水，所述臭氧去離子水內溶解的臭氧濃度為100至150ppm。
5.根據權利要求4所述的晶圓處理裝置，其特征在于，還包括控制單元，所述控制單元連接至所述臭氧去離子水噴嘴、光刻膠去除液噴嘴以及加熱單元，用于控制所述臭氧去離子水噴嘴、光刻膠去除液噴嘴的噴淋，以及所述加熱單元的加熱，所述預設溫度至少為200℃。
6.一種晶圓處理方法，通過噴淋光刻膠去除液來去除晶圓表面的光刻膠，其特征在于，還包括以下步驟：
加熱待噴淋的光刻膠去除液至預設溫度。
7.根據權利要求6所述的晶圓處理方法，其特征在于，還包括以下步驟：
噴淋光刻膠去除液前，向所述晶圓表面噴淋雙氧水；以及
噴淋光刻膠去除液后，向所述晶圓表面噴淋溶有臭氧的去離子水。
8.根據權利要求6所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述預設溫度至少為200℃，去離子水中溶解的臭氧濃度為100～150ppm。
9.根據權利要求7所述的晶圓處理方法，其特征在于，噴淋光刻膠去除液前，向所述晶圓表面噴淋雙氧水，流速范圍為50～2000ml/min，噴淋時長小于180s。
10.根據權利要求7所述的晶圓處理方法，其特征在于，噴淋光刻膠去除液后，向所述晶圓表面噴淋溶有臭氧的去離子水，流速范圍為500～2500ml/min，噴淋時長小于300s。
11.根據權利要求6所述的晶圓處理方法，其特征在于，噴淋光刻膠去除液前，還包括以下步驟：
制備所述光刻膠去除液，所述光刻膠去除液包括硫酸-雙氧水混合溶液，由70～110℃的硫酸以及22～26℃的雙氧水混合獲取。
12.根據權利要求11所述的晶圓處理方法，其特征在于，制備所述硫酸-雙氧水混合溶液時，提供一混液管路以混合硫酸和雙氧水。
13.根據權利要求12所述的晶圓處理方法，其特征在于，制備所述硫酸-雙氧水混合溶液時，將硫酸和雙氧水通入所述混液管路，所述硫酸的流速范圍為50～2000ml/min，雙氧水的流速范圍為50～2000ml/min，所述硫酸-雙氧水混合溶液噴淋在所述晶圓表面的時長小于300s。
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