[發明專利]存儲控制器、存儲器裝置和存儲器系統

在審

• 申請號: 202010227923.6
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN112241379A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 金東鉉
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G06F13/40
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

存儲控制器、存儲器裝置和存儲器系統。一種存儲器系統可包括存儲器裝置和存儲控制器。存儲器裝置可包括輸入/輸出焊盤。存儲控制器可通過輸入/輸出焊盤來控制存儲器裝置的操作。存儲控制器可生成偏移調節命令并將偏移調節命令發送到存儲器裝置。存儲器裝置可響應于偏移調節命令來存儲輸入/輸出焊盤接收的信號的偏移。

技術領域

本公開的各種實施方式總體上涉及電子裝置，更具體地，涉及一種存儲控制器、存儲器裝置、存儲器系統及其操作方法。

背景技術

存儲器系統在諸如計算機、智能電話或智能平板的主機裝置的控制下存儲數據。存儲器系統中的不同類型的裝置可用于存儲數據。例如，存儲器系統可采用將數據存儲在磁盤中的硬盤驅動器(HDD)或者將數據存儲在半導體存儲器(特別是非易失性存儲器)中的固態驅動器(SSD)或存儲卡。

除了存儲器裝置之外，存儲器系統還可包括被配置為將數據存儲在存儲器裝置中的存儲控制器。存儲器裝置可以是易失性或非易失性的。非易失性存儲器裝置的代表性示例包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃存、相變隨機存取存儲器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)和鐵電RAM(FRAM)。

發明內容

本公開的各種實施方式涉及一種能夠從輸入信號去除直流分量偏移的存儲器系統、存儲控制器和存儲器裝置及其操作方法。

根據本公開的實施方式的存儲器系統可包括存儲器裝置和存儲控制器。存儲器裝置可包括輸入/輸出焊盤。存儲控制器可通過輸入/輸出焊盤來控制存儲器裝置的操作。存儲控制器可生成偏移調節命令并將偏移調節命令發送到存儲器裝置。存儲器裝置可響應于偏移調節命令而將所接收的信號的偏移存儲到輸入/輸出焊盤。

在實施方式中，用于控制存儲器裝置的操作的存儲控制器可包括第一焊盤和第二焊盤、輸出信號確定器、開關和控制信號發生器。第一焊盤和第二焊盤可與存儲器裝置聯接。輸出信號確定器可通過第一焊盤和第二焊盤向存儲器裝置輸出用于控制存儲器裝置執行偏移調節操作的偏移調節命令。開關可控制分別聯接到第一焊盤和第二焊盤的第一節點與第二節點彼此之間的電連接。控制信號發生器可控制開關和輸出信號確定器的操作。

在實施方式中，通過輸入/輸出焊盤與存儲控制器聯接的存儲器裝置可包括命令解碼器和偏移控制器。命令解碼器可基于是否已從存儲控制器接收到偏移調節命令來生成偏移檢測信號或偏移補償信號。偏移控制器可基于偏移檢測信號來執行輸入/輸出焊盤的偏移檢測操作，并基于偏移補償信號來執行輸入/輸出焊盤的偏移補償操作。

根據本公開的實施方式的操作用于控制存儲器裝置的存儲控制器的方法可包括以下步驟：通過第二焊盤將偏移去除命令輸出到存儲器裝置，該偏移去除命令指示存儲通過輸入/輸出焊盤從存儲器裝置接收的信號中的直流(DC)分量信號，該輸入/輸出焊盤包括聯接到存儲器裝置的第一焊盤和第二焊盤；以及在已輸出偏移去除命令之后生成用于控制第一焊盤和第二焊盤的連接的開關控制信號。

本公開的實施方式可提供一種操作DC分量去除電路的方法。該DC分量去除電路可包括：信號接收器，其被配置為接收通過第一焊盤和第二焊盤輸入的信號；第一轉換器，其被配置為將通過第一焊盤和第二焊盤輸入的信號轉換為數字代碼；第一開關，其被配置為控制信號接收器和第一轉換器之間的連接；寄存器，其被配置為存儲第一轉換器的輸出；第二轉換器，其被配置為將寄存器的輸出轉換為模擬信號；以及第二開關，其被配置為控制第二轉換器和信號接收器的連接。該方法可包括以下步驟：接收偏移去除命令，該偏移去除命令用于指示去除通過第三焊盤和第四焊盤輸入的信號的偏移；通過將偏移去除命令解碼來生成偏移檢測信號和偏移補償信號；以及響應于偏移檢測信號來通過第一開關將第一轉換器和信號接收器連接，并且響應于偏移補償信號來通過第二開關將第二轉換器和信號接收器斷開。

附圖說明

圖1是示出存儲器系統的框圖。