[發明專利]一種鈍化接觸太陽電池制備方法

有效

• 申請號: 202010225832.9
• 申請日: 2020-03-26
• 公開（公告）號: CN111416017B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 陳嘉;陳程;馬麗敏;包杰;吳偉梁;林建偉
• 申請（專利權）人: 泰州中來光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068
• 代理公司: 北京金之橋知識產權代理有限公司 11137
• 代理人: 李托弟;李紅

1.一種鈍化接觸太陽電池制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)、對制絨后的基體進行雙面硼擴散處理，形成正面和背面p+摻雜發射極；

(2)、去除基體背面的p+摻雜發射極，并拋光處理；

(3)、在基體的正面和背面均沉積隧穿氧化層和多晶硅層；

(4)、在基體的背面注入磷元素；

(5)、對基體進行高溫退火處理，使基體正面和背面的多晶硅層均完成晶化，并在基體的正面形成p+poly，在基體的背面形成n+poly，同時在基體的正面形成含硼氧化層，在基體的背面形成含磷氧化層；

(6)、在基體的背面沉積減反膜層；

(7)、在基體的正面制備局域掩膜，以在基體正面形成耐酸漿料層未覆蓋的第一區域和耐酸漿料層覆蓋的第二區域；

(8)、在基體的正面形成局域p+poly；

(9)、在基體的正面形成疊層鈍化減反膜；

(10)在基體的正面和背面均制備電極；

步驟(8)包括：

(8.1)、用氫氟酸清洗基體的正面和背面，以去除基體正面第一區域的含硼氧化層；

(8.2)、用氨水清洗基體的正面和背面，以去除基體正面第一區域的p+poly和第二區域的耐酸漿料層；

(8.3)、用氫氟酸清洗基體的正面和背面，以去除基體正面第二區域的含硼氧化層和隧穿氧化層；形成局域p+poly。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，

在步驟(8.1)中，用體積比濃度為8％-12％的氫氟酸清洗基體的正面和背面，以去除基體正面第一區域的含硼氧化層；

在步驟(8.2)中，用體積比濃度為5％-15％的氨水清洗基體的正面和背面，以去除基體正面第一區域的p+poly和第二區域的耐酸漿料層；

在步驟(8.3)中，用體積比濃度為8％-12％的氫氟酸清洗基體的正面和背面，以去除基體正面第二區域的含硼氧化層和隧穿氧化層。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟(1)中，雙面硼擴散的硼源采用三溴化硼，擴散的溫度為900～1000℃，硼擴散之后的p+摻雜區域的方塊電阻值為100～200Ω/sq。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟(2)中，采用加熱的TMAH溶液對基體背面進行刻蝕，去除基體背面p+摻雜發射極，并拋光處理，基體減重0.4～0.8g。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟(3)中，隧穿氧化層的厚度范圍為0.5～1.5nm；多晶硅層的厚度為60-300nm。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟(4)中，磷元素的注入劑量為2E15-6E15cm^-3。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟(5)中，退火的溫度為850℃-880℃，退火的時間為5min-20min，退火的氣氛為N₂和O₂的混合氣體。

8.根據權利要求1-7任一項所述的制備方法，其特征在于，在步驟(10)中，在基體正面通過絲網印刷，并燒結，形成p+金屬電極，在基體背面通過絲網印刷，并燒結，形成n+金屬電極；其中，p+金屬電極與n+金屬電極均設置為“H”型柵線，其主柵均等間距設置為4～12根，寬度設置為100～800μm，高度設置為10～40μm，其副柵均等間距設置為80～120根，寬度設置為20～80μm，高度設置為10～30μm。

9.根據權利要求1-7任一項所述的制備方法，其特征在于，在步驟(1)之前，所述方法還包括：

(1)’、對N型硅基體進行預清洗，并去除機械損傷層，進行制絨處理，形成金字塔結構。