[發明專利]應力解耦和粒子過濾器集成

在審

• 申請號: 202010225315.1
• 申請日: 2020-03-26
• 公開（公告）號: CN111825054A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: F·布蘭德爾;C·蓋斯勒;R·格林貝格爾;C·韋希特爾;B·溫克勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00;G01L1/14;G01L1/16;G01L1/18
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 郭星

1.一種半導體器件，包括：

襯底，具有第一表面和與所述第一表面相對布置的第二表面；

第一應力敏感傳感器，設置在所述襯底的所述第一表面處，其中所述第一應力敏感傳感器對機械應力敏感；

第一應力解耦溝槽，具有從所述第一表面延伸到所述襯底中的豎直延伸，其中所述第一應力解耦溝槽朝向所述第二表面豎直地部分延伸至所述襯底中，但未完全延伸到所述第二表面；以及

多個粒子過濾器溝槽，從所述第二表面豎直地延伸至所述襯底中，其中所述多個粒子過濾器溝槽中的每個粒子過濾器溝槽具有與所述第一應力解耦溝槽的所述豎直延伸正交延伸的縱向延伸，以及

其中所述多個粒子過濾器溝槽中的每個粒子過濾器溝槽通過從所述第二表面延伸到所述第一應力解耦溝槽的底部的所述襯底的背側部分而與所述多個粒子過濾器溝槽中鄰近的粒子過濾器溝槽分離。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個粒子過濾器溝槽中的所述每個粒子過濾器溝槽以交叉圖案與所述第一應力解耦溝槽相交。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一應力解耦溝槽包括沿第一軸的所述豎直延伸、沿與所述第一軸正交的第二軸的縱向延伸、以及沿與所述第一軸和所述第二軸正交的第三軸的橫向延伸，并且所述多個粒子過濾器溝槽的所述縱向延伸以與所述第三軸平行的角度或以在所述第二軸與所述第三軸之間的角度而被布置。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述多個粒子過濾器溝槽沿所述第二軸彼此分離。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述襯底是一件式整體構造。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個粒子過濾器溝槽中的每個粒子過濾器溝槽與所述第一應力解耦溝槽的所述底部相交，使得所述多個粒子過濾器溝槽與所述第一應力解耦溝槽結合以形成從所述第一表面延伸到所述第二表面的多個開口。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述多個粒子過濾器溝槽中的所述每個粒子過濾器溝槽與所述第一應力解耦溝槽形成交叉圖案或X圖案。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第二應力解耦溝槽，與所述第一應力解耦溝槽鄰近，所述第二應力解耦溝槽具有從所述第一表面延伸到所述襯底中的豎直延伸，其中所述第二應力解耦溝槽朝向所述第二表面豎直地部分延伸至所述襯底中，但未完全延伸到所述第二表面，

其中，所述多個粒子過濾器溝槽中的每個粒子過濾器溝槽的所述縱向延伸橫向跨越所述第一應力解耦溝槽和所述第二應力解耦溝槽。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述多個粒子過濾器溝槽中的每個粒子過濾器溝槽以交叉圖案與所述第一應力解耦溝槽相交，并且以交叉圖案與所述第二應力解耦溝槽相交。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一應力解耦溝槽圍繞所述襯底的應力敏感區域的外圍，所述第一應力敏感傳感器設置在所述應力敏感區域中，

所述多個粒子過濾器溝槽沿所述第一應力解耦溝槽布置在應力敏感區域的所述外圍的不同側處，并且

所述多個粒子過濾器溝槽中的每個粒子過濾器溝槽以交叉圖案與所述第一應力解耦溝槽相交。