[發(fā)明專利]一種鉭酸鋰晶片異質(zhì)鍵合的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010225144.2 | 申請日： | 2020-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN111519255A | 公開（公告）日： | 2020-08-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張學(xué)鋒;肖學(xué)峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧夏鉅晶源晶體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/06 | 分類號： | C30B33/06;C30B29/30;C30B29/06;H03H3/007 |
| 代理公司： | 寧夏合天律師事務(wù)所 64103 | 代理人： | 周曉梅 |
| 地址： | 753000 寧夏回族自治區(qū)石嘴山市大*** | 國省代碼： | 寧夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 鉭酸鋰 晶片 異質(zhì)鍵合 方法 | ||
1.一種鉭酸鋰晶片異質(zhì)鍵合的方法，其特征在于：
將單晶硅片與鉭酸鋰晶片相對設(shè)置，保持單晶硅片表面的薄膜層與鉭酸鋰晶片相對設(shè)置，放入鍵合機；
中溫加熱，并維持至少1h，完成一次鍵合，形成一次鍵合體；
將一次鍵合體放入退火爐，高溫加熱退火，完成二次鍵合；其中，單晶硅片表面的薄膜層與碳酸鋰晶片層為異種材質(zhì)。
2.如權(quán)利要求1所述的鉭酸鋰晶片異質(zhì)鍵合的方法，其特征在于：單晶硅片表面的薄膜層為二氧化硅層。
3.如權(quán)利要求2所述的鉭酸鋰晶片異質(zhì)鍵合的方法，其特征在于：中溫加熱的溫度為80-150℃和/或高溫加熱的溫度為200-240℃。
4.如權(quán)利要求1所述的鉭酸鋰晶片異質(zhì)鍵合的方法，其特征在于：對基體的單晶硅片表面進行單面拋光，通過退火鈍化，使表面形成二氧化硅層。
5.如權(quán)利要求4所述的鉭酸鋰晶片異質(zhì)鍵合的方法，其特征在于：還將所述二氧化硅層放入氨水、雙氧水混合溶液處理，使硅片表面處于親水狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求1所述的鉭酸鋰晶片異質(zhì)鍵合的方法，其特征在于：對鉭酸鋰表面進行拋光，形成光滑表面。
7.如權(quán)利要求1所述的鉭酸鋰晶片異質(zhì)鍵合的方法，其特征在于：放入鍵合機之前，先對單晶硅片表面和鉭酸鋰表面使用氮氣吹干。
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