[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制造方法以及顯示裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010224348.4
• 申請日: 2020-03-26
• 公開（公告）號: CN112071915A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大田裕之
• 申請（專利權(quán)）人: 堺顯示器制品株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/34;H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 王娟

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板；

氧化物半導(dǎo)體層,其由所述基板支承，并包含第一區(qū)域、第二區(qū)域以及位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的溝道區(qū)域；

柵極電極，其隔著柵極絕緣層配置在所述氧化物半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)域上；

源極電極，其與所述氧化物半導(dǎo)體層的所述第一區(qū)域電連接；

漏極電極，其與所述氧化物半導(dǎo)體層的所述第二區(qū)域電連接，以及

上部絕緣層，其覆蓋所述氧化物半導(dǎo)體層、所述柵極絕緣層和所述柵極電極；

所述柵極電極從所述基板的法線方向觀察時，與所述氧化物半導(dǎo)體層的所述溝道區(qū)域重疊而與所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域不重疊，

從所述基板的法線方向觀察時，所述柵極電極的側(cè)面具有第一側(cè)面部和第二側(cè)面部，所述第一側(cè)面部位于所述第一區(qū)域側(cè)，并且與所述氧化物半導(dǎo)體層重疊，所述第二側(cè)面部位于所述第二區(qū)域側(cè)，并且，與所述氧化物半導(dǎo)體層重疊，

所述上部絕緣層包含：

第一邊緣區(qū)域，從所述基板的法線方向觀察時，其位于所述柵極電極的所述第一側(cè)面部的附近，并且，所述第一邊緣區(qū)域距所述氧化物半導(dǎo)體層的上表面的高度小于所述柵極電極的上表面的高度；以及

第二邊緣區(qū)域，從所述基板的法線方向觀察時，其位于所述柵極電極的所述第二側(cè)面部的附近，并且，所述第二邊緣區(qū)域距所述氧化物半導(dǎo)體層的上表面的高度小于所述柵極電極的上表面的高度，

所述上部絕緣層具有多孔質(zhì)絕緣體層，所述多孔質(zhì)絕緣體層包含有配置于所述第一邊緣區(qū)域的第一部分和配置于所述第二邊緣區(qū)域的第二部分，

所述多孔質(zhì)絕緣體層的所述第一部分與所述氧化物半導(dǎo)體層的所述第一區(qū)域的至少一部分接觸，所述多孔質(zhì)絕緣體層的所述第二部分與所述氧化物半導(dǎo)體層的所述第二區(qū)域的至少一部分接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述柵極絕緣層包含氧化硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述多孔質(zhì)絕緣體層在頻率1MHz下的相對介電常數(shù)為3.0以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述多孔質(zhì)絕緣體層的所述第一部分與所述柵極電極的所述第一側(cè)面部接觸，

所述多孔質(zhì)絕緣體層的所述第二部分與所述柵極電極的所述第二側(cè)面部接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

從所述基板的法線方向觀察時，所述柵極絕緣層的側(cè)面與所述柵極電極的所述側(cè)面對準(zhǔn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述多孔質(zhì)絕緣體層與所述柵極絕緣層的所述側(cè)面接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

從所述基板的法線方向觀察時，所述柵極絕緣層的側(cè)面位于所述柵極電極的所述側(cè)面的內(nèi)側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，

使所述多孔質(zhì)絕緣體層的至少一部分配置成，在所述柵極電極與所述溝道區(qū)域之間與所述柵極絕緣層的所述側(cè)面接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，

在所述柵極電極與所述溝道區(qū)域之間，且在所述柵極絕緣層的所述側(cè)面與所述上部絕緣層之間形成有空隙。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述上部絕緣層包含配置在所述多孔質(zhì)絕緣體層上的非多孔質(zhì)絕緣體層。