[發(fā)明專利]靜電保護電路及全芯片靜電保護電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010224007.7
• 申請日: 2020-03-26
• 公開（公告）號: CN113452004B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H02H9/00
• 分類號: H02H9/00;H02H9/02
• 代理公司: 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

本發(fā)明涉及一種靜電保護電路及全芯片靜電保護電路，包括：檢測模塊，檢測模塊的第一端連接第一電壓，檢測模塊的第二端連接第二電壓；檢測模塊用于檢測第一電壓的類型，并將檢測結(jié)果經(jīng)由檢測模塊第三端輸出；泄放模塊，泄放模塊的第一端連接第一電壓，泄放模塊的第二端連接第二電壓；控制模塊，控制模塊的第一端連接第一電壓，控制模塊的第二端連接第二電壓，控制模塊的第三端與檢測模塊的第三端相連接；控制模塊的第四端與泄放模塊的第三端相連接；控制模塊用于基于檢測模塊的檢測結(jié)果控制泄放模塊導通或關(guān)閉。上述靜電保護電路在達到所需的靜電保護效果的前提下具有較小的RC時間常數(shù)，靜電保護電路的面積較小，不會占用較多的設計空間。

技術(shù)領域

本申請涉及集成電路技術(shù)領域，特別是涉及一種靜電保護電路及全芯片靜電保護電路。

背景技術(shù)

現(xiàn)在半導體的制程越來越先進，半導體器件越來越小，結(jié)深(junction depth)越來越淺，氧化層越來越薄，半導體集成電路的可靠性面臨的挑戰(zhàn)越來越大，尤其是靜電保護變得愈發(fā)重要。據(jù)統(tǒng)計，大約超過30％的半導體產(chǎn)品的失效是有靜電損傷引起的。為了更好的保護集成電路不受靜電損傷，需要設置靜電保護電路對集成電路進行保護。

現(xiàn)有的靜電保護電路的RC時間常數(shù)通常為0.1μs～1μs，然而，現(xiàn)有的靜電保護電路為了達到較好的靜電保護效果需要較大的RC時間常數(shù)，從而使得靜電保護電路的面積較大，會占用較大的設計空間。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對現(xiàn)有技術(shù)中的靜電保護電路存在的由于需要較大的RC時間常數(shù)而導致的靜電保護電路面積較大，會占用較大的設計空間的問題提供一種靜電保護電路及全芯片靜電保護電路。

為了實現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明提供了一種靜電保護電路，包括：

檢測模塊，所述檢測模塊的第一端連接第一電壓，所述檢測模塊的第二端連接第二電壓；所述檢測模塊用于檢測所述第一電壓的類型，并將檢測結(jié)果經(jīng)由所述檢測模塊第三端輸出；

泄放模塊，所述泄放模塊的第一端連接所述第一電壓，所述泄放模塊的第二端連接所述第二電壓；

控制模塊，所述控制模塊的第一端連接所述第一電壓，所述控制模塊的第二端連接所述第二電壓，所述控制模塊的第三端與所述檢測模塊的第三端相連接；所述控制模塊的第四端與所述泄放模塊的第三端相連接；所述控制模塊用于基于所述檢測模塊的檢測結(jié)果控制所述泄放模塊導通或關(guān)閉。

上述靜電保護電路在達到所需的靜電保護效果的前提下具有較小的RC時間常數(shù)，靜電保護電路的面積較小，不會占用較多的設計空間。

在其中一個實施例中，所述檢測模塊包括：

電容，所述電容的第一端作為所述檢測模塊的第一端，所述電容的第二端作為所述檢測模塊的第三端；

電阻，所述電阻的第一端連接所述電容的第二端，所述電阻的第二端作為所述檢測模塊的第二端。

在其中一個實施例中，所述電容包括金屬-介電層-金屬電容或MOS電容，所述電阻包括多晶硅電阻或摻雜區(qū)電阻。

在其中一個實施例中，所述泄放模塊包括泄放晶體管。

在其中一個示例中，所述泄放晶體管包括NMOS管，所述泄放晶體管的漏極作為所述泄放模塊的第一端，所述泄放晶體管的源極作為所述泄放模塊的第二端，所述泄放晶體管的柵極作為所述泄放模塊的第三端。

在其中一個示例中，所述控制模塊包括正反饋回路，所述正反饋回路包括一個反相器及一個NMOS管，或所述正反饋回路包括一個反相器及一個PMOS管，或所述正反饋回路包括一個反相器、一個PMOS管及一個NMOS管。

在其中一個示例中，所述控制模塊包括：