[發(fā)明專利]觸控模組、觸控顯示屏及觸控顯示屏的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010222751.3
• 申請日: 2020-03-26
• 公開（公告）號: CN111427475B
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊明;張良浩;韓文超;尹曉峰;陳小川;王海生;玄明花;張粲
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 劉繼昂

1.一種觸控模組，其特征在于，包括：

觸控層，所述觸控層為單層結(jié)構(gòu)，且包括沿第一方向依次排布的n列觸控單元，每列所述觸控單元均包括沿所述第一方向依次排布的第一單元和第二單元，

所述第一單元包括一列第一電極列和m條第一電極走線，所述第一電極列包括沿第二方向依次排布的m個第一電極，每條所述第一電極走線分別與一個所述第一電極相連，以形成m條第一信號線，所述第二方向與所述第一方向交叉；

所述第二單元包括一列第二電極列和j條第二電極走線，所述第二電極列包括沿所述第二方向依次排布的m組第二電極單元，m組所述第二電極單元與m個所述第一電極沿所述第一方向一一相對設(shè)置，每組所述第二電極單元均包括沿所述第二方向依次排布的j個第二電極，每條所述第二電極走線分別與每組所述第二電極單元中一個所述第二電極相連，以形成j條第二信號線，

所述第二電極單元中的j個所述第二電極的中心位置沿著所述第二方向在所述第一方向上依次偏移，所述第二電極列中的每組所述第二電極單元的結(jié)構(gòu)均相同，所述第二電極走線與每組所述第二電極單元中沿所述第二方向次序相同的所述第二電極相連，每組所述第二電極單元中的j個所述第二電極沿著所述第二方向的次序依次為第一次序電極到第j次序電極，所述第二單元中的j條所述第二電極走線分別為第一走線到第j走線，所述第一走線與每組所述第二電極單元中所述第一次序電極相連，所述第j走線與每組所述第二電極單元中所述第j次序電極相連，其中，所述第一走線與所述第j走線分別位于所述第二電極列的寬度兩側(cè)，當(dāng)j＞2，且1＜x＜j時，所述第二單元中的第x走線與每組所述第二電極單元中次序為第x次序電極相連，所述第x走線從每相鄰的兩個所述第二電極單元之間經(jīng)過以與相鄰的兩個所述第x次序電極分別相連，且所述第x走線從每個所述第x次序電極的寬度一側(cè)輸入連接、寬度另一側(cè)輸出連接；其中

所述第一電極列中的m個所述第一電極的寬度沿著所述第二方向依次減小，且所述第一電極沿第一方向與所述j個第二電極相對。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模組，其特征在于，所述第一單元中的m個所述第一電極的寬度一側(cè)對齊，m條所述第一電極走線均位于所述第一電極列的寬度同側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模組，其特征在于，所述第二電極單元中的j個所述第二電極的寬度相同，且每相鄰兩個所述第二電極的中心位置在所述第一方向上的間距均相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控模組，其特征在于，所述觸控層中的每列所述觸控單元的結(jié)構(gòu)均相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的觸控模組，其特征在于，所述觸控層整體為單層的金屬網(wǎng)格，所述第一電極、所述第一電極走線、所述第二電極、所述第二電極走線均由所述金屬網(wǎng)格構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸控模組，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格由多個網(wǎng)格單元組成，其中一些所述網(wǎng)格單元上具有防短路的斷開口。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的觸控模組，其特征在于，所述網(wǎng)格單元為多邊形網(wǎng)格，所述斷開口形成在所述網(wǎng)格單元的直線側(cè)邊上。

8.一種觸控顯示屏，其特征在于，包括顯示模組和觸控模組，所述顯示模組包括封裝層，所述觸控模組為根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的觸控模組，且所述觸控層設(shè)置在所述封裝層上。

9.一種觸控顯示屏的制造方法，其特征在于，所述觸控顯示屏為根據(jù)權(quán)利要求8所示的觸控顯示屏，所述制造方法包括步驟：制作所述封裝層，在所述封裝層上制作單層的金屬網(wǎng)格，以構(gòu)成所述觸控層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控顯示屏的制造方法，其特征在于，所述金屬網(wǎng)格采用曝光工藝或絲網(wǎng)印刷工藝制造在所述封裝層上。