[發(fā)明專利]光掩模、光掩模的制造方法和顯示裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010221760.0
• 申請(qǐng)日: 2020-03-26
• 公開（公告）號(hào): CN111752089A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山口昇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: HOYA株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/80
• 分類號(hào): G03F1/80;G03F1/26
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 孟偉青;褚瑤楊

提供光掩模、光掩模的制造方法和顯示裝置的制造方法，提供可形成尺寸精度高的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模制造方法，其包括：準(zhǔn)備在透明基板上依次形成有光學(xué)膜和抗蝕劑膜的光掩模基板的工序；初期顯影工序，通過描繪、顯影而在抗蝕劑膜形成抗蝕劑圖案；預(yù)備蝕刻工序，以抗蝕劑圖案為掩模，對(duì)光學(xué)膜實(shí)施蝕刻，形成由光學(xué)膜得到的預(yù)備圖案；追加顯影工序，在由預(yù)備蝕刻工序形成的預(yù)備圖案的邊緣的至少一部分處于與抗蝕劑圖案對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)的狀態(tài)下，對(duì)抗蝕劑圖案實(shí)施追加顯影，使抗蝕劑圖案邊緣后退，使預(yù)備圖案邊緣露出；測(cè)定工序，測(cè)定預(yù)備圖案規(guī)定部位的尺寸；和追加蝕刻工序，基于測(cè)定工序中測(cè)定的尺寸確定追加蝕刻量，進(jìn)一步蝕刻光學(xué)膜，形成確定圖案。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光掩模、光掩模的制造方法和顯示裝置的制造方法。

背景技術(shù)

伴隨著顯示裝置等電子器件產(chǎn)品的高精細(xì)化等，對(duì)于在它們的制造中使用的光掩模所具備的轉(zhuǎn)印用圖案，更嚴(yán)格地進(jìn)行尺寸控制的要求正在提高。

與此相關(guān)，例如，專利文獻(xiàn)1中記載了一種對(duì)遮光膜的圖案更準(zhǔn)確地進(jìn)行尺寸控制的方法。即，記載了下述方法：將抗蝕劑圖案作為掩模而進(jìn)行遮光膜的蝕刻，去除未被抗蝕劑圖案覆蓋的遮光膜并在停止蝕刻后，從基板的背面?zhèn)日丈涔猓刮幢徽诠饽ふ诠獾目刮g劑感光，進(jìn)行顯影，由此掌握遮光膜的邊緣位置，確定追加蝕刻時(shí)間。

另外，例如，專利文獻(xiàn)2中記載了一種用于準(zhǔn)確地進(jìn)行停止蝕刻的時(shí)機(jī)的檢測(cè)(終點(diǎn)檢測(cè))的方法。根據(jù)專利文獻(xiàn)2中記載的方法，使用包括用于形成所要獲得的轉(zhuǎn)印用圖案的轉(zhuǎn)印用圖案數(shù)據(jù)、和用于形成尺寸測(cè)定用的監(jiān)視圖案的監(jiān)視圖案數(shù)據(jù)的圖案數(shù)據(jù)，對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行描繪，形成了抗蝕劑圖案。將該抗蝕劑圖案作為掩模，對(duì)光學(xué)膜實(shí)施了規(guī)定時(shí)間的蝕刻后，測(cè)定監(jiān)視圖案的尺寸，基于該尺寸對(duì)光學(xué)膜實(shí)施了追加的蝕刻。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-169750號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2015-191088號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

對(duì)顯示裝置(液晶顯示裝置、有機(jī)EL顯示裝置等)所要求的畫質(zhì)、亮度、操作速度以及省電性能的水平比以往更高。鑒于這種情況，期望在顯示裝置的制造中使用的光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案微細(xì)化、高密度化。

在制造顯示裝置時(shí)，使用光刻工序制造具備所期望的轉(zhuǎn)印用圖案的光掩模。即，在成膜于透明基板上的光學(xué)膜上形成抗蝕劑膜，利用能量射線(激光等)對(duì)該抗蝕劑膜進(jìn)行描繪并顯影，將由此得到的抗蝕劑圖案作為掩模，對(duì)光學(xué)膜實(shí)施蝕刻。根據(jù)需要，進(jìn)一步成膜其他光學(xué)膜，重復(fù)光刻工序，形成最終的轉(zhuǎn)印用圖案。此處的光學(xué)膜例如包括對(duì)朝向光掩模的曝光光進(jìn)行遮光的遮光膜、使曝光光部分透過的半透光膜、或者相移膜或蝕刻阻擋膜等功能膜等。

顯示裝置制造用光掩模與半導(dǎo)體器件制造用光掩模(通常主表面的一邊為5～6英寸)相比尺寸大(例如主表面的一邊為300mm以上的四邊形等)，而且存在多種尺寸。因此，在光學(xué)膜的蝕刻中，與需要真空腔室的干蝕刻相比，在應(yīng)用濕蝕刻的情況下，具有裝置及工序的負(fù)擔(dān)小、而且容易控制的優(yōu)點(diǎn)。

另一方面，濕蝕刻也會(huì)帶來困難。通常，干蝕刻具有各向異性蝕刻的性質(zhì)，而濕蝕刻中蝕刻各向同性地進(jìn)行，各向同性蝕刻的特性強(qiáng)。因此，從蝕刻對(duì)象的光學(xué)膜的側(cè)面也會(huì)進(jìn)行蝕刻(側(cè)面蝕刻)。圖1是示出作為光學(xué)膜的遮光膜的側(cè)面被濕蝕刻所蝕刻的狀態(tài)的SEM(掃描電子顯微鏡)照片。被蝕刻而成的光學(xué)膜圖案的尺寸未必與成為了蝕刻掩模的抗蝕劑圖案的尺寸一致。在實(shí)施了規(guī)定時(shí)間蝕刻的時(shí)刻，光學(xué)膜圖案的邊緣前進(jìn)至抗蝕劑圖案的邊緣位置的內(nèi)側(cè)，從抗蝕劑圖案的表面?zhèn)扔^察的情況下，光學(xué)膜圖案成為被抗蝕劑圖案覆蓋的狀態(tài)，因此無法直接計(jì)測(cè)其尺寸。因此，難以確定蝕刻的終點(diǎn)。