[發(fā)明專利]磁場屏蔽片及其制造方法、無線電力接收模塊及終端設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010220569.4 | 申請日: | 2020-03-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112103642B | 公開(公告)日: | 2021-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張吉在 | 申請(專利權(quán))人: | 阿莫先恩電子電器有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01Q1/52 | 分類號(hào): | H01Q1/52;H02J50/27;B32B7/12;B32B15/00;B32B15/04 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 李艷;臧建明 |
| 地址: | 韓國忠清*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁場 屏蔽 及其 制造 方法 無線 電力 接收 模塊 終端設(shè)備 | ||
1.一種磁場屏蔽片,作為配置在包括在中央部上具有預(yù)定面積的中空部及環(huán)繞所述中空部的圖案部的天線的一面上的磁場屏蔽片,其包括:
片本體,其由包括非晶合金及納米晶粒合金中至少一種以上的多個(gè)帶片以第一粘合層為介質(zhì)層疊多層的多層片材形成;
多個(gè)貫通部,其在供所述天線的圖案部配置的配置區(qū)域貫通形成,以具有既定寬度和長度的線形形成;及
多個(gè)裂隙,其以從所述貫通部的邊緣向所述片本體側(cè)延長的方式在所述配置區(qū)域形成;
其中,
所述貫通部包括在供所述天線的圖案部配置的配置區(qū)域形成的第一部分和從所述第一部分延長到與所述天線的中空部對應(yīng)的位置的第二部分;
所述片本體包括在上部面和下部面中至少任意一面以第二粘合層為介質(zhì)附著的保護(hù)膜;
所述貫通部以全部貫通所述片本體與所述保護(hù)膜的方式形成,所述多個(gè)裂隙是在形成所述貫通部的過程中通過施加于所述片本體的外力而形成的;
在供所述天線的圖案部配置的部分區(qū)域,部分地形成所述貫通部及所述多個(gè)裂隙,從而增加整體阻抗,從而減小渦電流導(dǎo)致的影響并具有2000以上的高磁導(dǎo)率;
在與所述天線的中空部對應(yīng)的位置,包括通過所述第二部分而彼此連接的中心點(diǎn)的一部分區(qū)域,并通過從所述第二部分分別延長的裂隙而分離成多個(gè)碎片;
所述保護(hù)膜是能去除的離型膜,去除所述保護(hù)膜后,在所述磁場屏蔽片的一面配置的第二粘合層可以露出到外部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場屏蔽片,其中,
所述貫通部形成得使寬度具有長度的3倍以上的大小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場屏蔽片,其中,
所述多個(gè)貫通部彼此設(shè)置間隔地隔開配置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場屏蔽片,其中,
所述多個(gè)貫通部通過所述第二部分而彼此連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場屏蔽片,其中,
所述多個(gè)貫通部形成得使各個(gè)第二部分在所述天線中空部的中心點(diǎn)彼此連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場屏蔽片,其中,
所述磁場屏蔽片的全體厚度為55μm至85μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場屏蔽片,其中,
所述多個(gè)貫通部包括下面貫通部中至少一種以上:
第一貫通部,其沿相對于所述片本體的寬度方向或長度方向垂直的方向形成;
第二貫通部,其沿相對于所述片本體的寬度方向或長度方向平行的方向形成;
第三貫通部,其相對于所述片本體的寬度方向或長度方向傾斜既定角度地形成;及
第四貫通部,其以具有預(yù)定曲率的弧形形成。
8.一種無線電力接收模塊,其中,包括:
無線電力接收用天線,其在中央部形成具有預(yù)定面積的中空部;及
權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的磁場屏蔽片,其配置于所述無線電力接收用天線的一面。
9.一種便攜終端設(shè)備,其包括權(quán)利要求8所述的無線電力接收模塊。
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