[發明專利]用于互連性能提高的交錯線及其形成工藝在審
| 申請號： | 202010220559.0 | 申請日： | 2020-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN112151499A | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發明（設計）人： | K·L·林;M·昌德霍克;M·雷什奧特克;C·杰澤斯基;E·韓;G·辛格;S·阿塔納索夫;I·A·揚 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 鄔少俊 |
| 地址： | 美國加*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 互連 性能 提高 交錯 及其 形成 工藝 | ||
1.一種互連結構，包括：
第一互連線；
第二互連線，所述第一互連線和所述第二互連線是交錯的，其中，所述第二互連線中的各個互連與所述第一互連線中的各個互連橫向偏移；以及
電介質材料，其與所述第一互連線和所述第二互連線中的至少一個中的各個互連的至少一部分相鄰。
2.根據權利要求1所述的互連結構，還包括所述第一互連線中的各個互連之間的氣隙。
3.根據權利要求1所述的互連結構，還包括所述第二互連線中的各個互連之間的氣隙。
4.根據權利要求1所述的互連結構，其中，所述第一互連線和所述第二互連線都包括位于各個互連之間的氣隙。
5.根據權利要求1或4所述的互連結構，其中，所述第一互連線和所述第二互連線至少部分地被蝕刻停止部包圍。
6.根據權利要求1、2、3或4所述的互連結構，還包括所述第一互連線上方的電介質層。
7.一種互連結構，包括：
第一互連線；
第二互連線，所述第一互連線和所述第二互連線是交錯的，其中，所述第二互連線中的各個互連與所述第一互連線中的各個互連橫向偏移；以及
電介質材料，其占據所述第一互連線中的各個互連與所述第二互連線中的各個互連之間的空間。
8.根據權利要求7所述的互連結構，其中，所述第一互連線連接到位于所述第二互連線下方的金屬層。
9.根據權利要求7或8所述的互連結構，其中，所述第二互連線連接到位于所述第一互連線上方的金屬層。
10.根據權利要求7或8所述的互連結構，其中，所述第一互連線和所述第二互連線具有不同的圖案。
11.根據權利要求7或8所述的互連結構，其中，所述第一互連線和所述第二互連線具有不同的寬度和間距。
12.根據權利要求7或8所述的互連結構，其中，所述第一互連線和所述第二互連線具有不同的高度。
13.根據權利要求7或8所述的互連結構，其中，所述第一互連線和所述第二互連線垂直重疊。
14.根據權利要求7或8所述的互連結構，其中，所述第一互連線中的至少一個互連和所述第二互連線中的至少一個互連一起具有T結構。
15.根據權利要求7或8所述的互連結構，還包括至少一個互連，所述至少一個互連是所述第一互連線和所述第二互連線兩者的一部分并且從所述第一互連線延伸到所述第二互連線。
16.根據權利要求7或8所述的互連結構，其中，所述第一互連線和所述第二互連線中的至少一個的頂部部分或底部部分是圓化的。
17.根據權利要求7或8所述的互連結構，其中，氣隙延伸了所述第一互連線和所述第二互連線兩者的整個長度。
18.一種系統，包括：
存儲部件；
多個集成電路管芯，其包括一個或多個互連結構，所述互連結構包括：
第一互連線；
第二互連線，所述第一互連線和所述第二互連線是交錯的，其中，所述第二互連線中的各個互連與所述第一互連線中的各個互連橫向偏移；以及
電介質材料，其與所述第一互連線和所述第二互連線中的至少一個中的各個互連的至少一部分相鄰。
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