[發明專利]一種硅鋁硅鍵合片的臺面二極管及其制備方法在審
| 申請號： | 202010220318.6 | 申請日： | 2020-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN111261726A | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發明（設計）人： | 楊朔 | 申請（專利權）人： | 上海安微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L21/18;H01L21/329 |
| 代理公司： | 合肥律眾知識產權代理有限公司 34147 | 代理人： | 黃珍玲 |
| 地址： | 200030 上海市徐匯*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅鋁硅鍵合片 臺面 二極管 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種肖特基勢壘二極管，其結構包括：以硅-鋁-硅型半導體單晶片為基片，在其上形成勢壘層，再形成金屬陽極，邊緣造型為臺面結構，以聚酰亞胺進行臺面保護。
2.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，采用的基片為三層結構，中間為金屬鋁，上下為單晶硅。芯片邊緣造型為臺面型，臺面的深度深過芯片層和鋁層。
3.一種肖特基勢壘二極管的制備方法，其步驟包括：先通過對三層硅-鋁-硅層進行合金，，對芯片層進行減薄拋光。然后進行金屬勢壘及電極形成，光刻腐蝕臺面，接著進行聚酰亞胺涂敷和光刻，固化及背面金屬形成。
4.根據權利要求3所述的肖特基勢壘二極管的制備方法，其特征在于，鋁硅合金溫度高于鋁硅共晶溫度577℃，后續的芯片制作中所用的溫度都低于577℃。
5.根據權利要求3所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于，臺面腐蝕采用多步腐蝕，腐蝕正面金屬-腐蝕硅-腐蝕鋁-腐蝕硅。
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