[發明專利]一種鍍膜系統及鍍膜方法

在審

• 申請號: 202010220133.5
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111321387A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 產桂方
• 申請（專利權）人: 棗莊維信諾電子科技有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/54;C23C14/35
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 宋傲男

本發明提供一種鍍膜系統及鍍膜方法，該鍍膜系統包括：載入腔，用于載入基材；傳送腔，直接連接至載入腔，并且配置成接收并傳送基材；至少一個鍍膜腔，鍍膜腔直接連接至傳送腔，并且配置成從傳送腔接收基材并利用鍍膜工藝將膜層形成在基材上；載出腔，直接連接至傳送腔，并且配置成從傳送腔接收并載出基材；其中，利用鍍膜工藝在基材上形成第一層膜層的鍍膜腔中設置有預熱裝置。本發明通過在形成第一層膜層的鍍膜腔中設置預熱裝置，可以實現對基材的預熱，從而達到降低設備成本的目的。進一步地，當鍍膜腔的數量為兩個以上，可以充分利用第一鍍膜腔的閑置時間，達到提高鍍膜效率的效果。

技術領域

本發明涉及鍍膜技術領域，特別是涉及一種鍍膜系統及鍍膜方法。

背景技術

鍍膜是目前形成膜層常采用的一種技術，在鍍膜過程中，環境中的水汽會對膜層造成腐蝕性的影響，并且會影響膜層的致密性，因此鍍膜工藝對設備的真空性能要求很高。現有的鍍膜設備通常會在鍍膜腔前增加一個預加熱腔對基板進行預加熱，以達到去除基材載入時帶入鍍膜系統各個鍍膜腔的水汽的目的。但預加熱腔的設置會在一定程度上增加設備投入成本。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供一種鍍膜系統及鍍膜方法，以解決現有技術中由于預加熱腔的設置而導致的設備投入成本增加的問題。

本發明實施例提供了一種鍍膜系統，包括：載入腔，用于載入基材；傳送腔，直接連接至所述載入腔，并且配置成接收并傳送所述基材；至少一個鍍膜腔，所述鍍膜腔直接連接至所述傳送腔，并且配置成從所述傳送腔接收所述基材并利用鍍膜工藝將膜層形成在所述基材上；載出腔，直接連接至所述傳送腔，并且配置成從所述傳送腔接收并載出所述基材；其中，利用鍍膜工藝在所述基材上形成第一層膜層的所述鍍膜腔中設置有預熱裝置。

優選地，所述預熱裝置包括熱輻射板和/或加熱器。

優選地，所述加熱器為熱輻射燈管。

優選地，所述加熱器為多段式加熱器，所述多段式加熱器包括多個加熱段，所述多個加熱段依次設置于所述熱輻射板上。

優選地，所述預熱裝置的加熱表面與所述基材表面平行且正對設置，且所述預熱裝置的加熱表面在所述基材表面的正投影覆蓋所述基材。

優選地，所述鍍膜系統還包括可控真空泵系統，所述可控真空泵系統設置于在所述基材上形成第一層膜層的鍍膜腔。

優選地，所述至少一個鍍膜腔包括第一鍍膜腔和第二鍍膜腔，其中：第一鍍膜腔，直接連接至所述傳送腔，并且配置成從所述傳送腔接收所述基材并利用鍍膜工藝將第一膜層形成在所述基材上；第二鍍膜腔，直接連接至所述傳送腔，并且配置成從所述傳送腔接收所述基材并利用鍍膜工藝將第二膜層形成在所述第一膜層上。

本發明實施例還提供了一種鍍膜方法，所述鍍膜方法利用鍍膜系統實施，所述鍍膜系統包括載入腔、傳送腔、第一鍍膜腔、第二鍍膜腔、載出腔，其中所述第一鍍膜腔中設置有預熱裝置；所述方法包括以下步驟：利用所述載入腔載入基材；利用所述傳送腔將所述基材由所述載入腔傳送至所述第一鍍膜腔；利用所述預熱裝置對所述基材進行預熱以去除水汽；在所述第一鍍膜腔中通過鍍膜工藝將第一膜層形成在所述基材上；利用所述傳送腔將所述基材從所述第一鍍膜腔傳送至所述第二鍍膜腔；在所述第二鍍膜腔中通過鍍膜工藝將第二膜層形成在所述第一膜層上；利用所述傳送腔將所述基材從所述第二鍍膜腔傳送至所述載出腔。

優選地，所述第一鍍膜腔還設置有可控真空泵系統，所述可控真空泵系統與所述預熱裝置同時啟動。

優選地，在所述第二鍍膜腔中的鍍膜時間與在所述第一鍍膜腔中的鍍膜時間的時間差大于或等于對所述基材進行預熱的預熱時間。