[發(fā)明專利]用于橋接管芯第一級互連（FLI）的光刻限定的垂直互連通路（VIA）

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010219896.8
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN112151492A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·達(dá)爾馬韋卡爾塔;T·易卜拉欣;S·阿盧爾;R·賈因;陳昊博
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48;H01L23/488;H01L21/60;H05K1/18
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 張亞峰

1.一種封裝襯底，包括：

橋接管芯，嵌入所述封裝襯底中；

第一接觸焊盤，在所述橋接管芯的周邊外部，所述第一接觸焊盤具有設(shè)置在其上的表面光潔層；以及

第二接觸焊盤，在所述橋接管芯的周邊內(nèi)部，并通過第一垂直互連通路(過孔)耦合到所述橋接管芯，所述第一過孔具有基本垂直的側(cè)壁，并且所述第二接觸焊盤具有位于其上的突出互連結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝襯底，還包括：

第三接觸焊盤，在所述橋接管芯的周邊內(nèi)部，與所述第二接觸焊盤相鄰，并通過第二過孔耦合到所述橋接管芯，所述第二過孔具有基本垂直的側(cè)壁，所述第三接觸焊盤具有位于其上的突出互連結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝襯底，其中，所述第一過孔和所述第二過孔之間的間距小于或等于50微米(μm)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的封裝襯底，還包括：

圍繞所述第一過孔和所述第二過孔的介電層。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的封裝襯底，還包括：

圍繞所述第一過孔和所述第二過孔的阻焊層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的封裝襯底，其中，所述表面光潔層包括化學(xué)鍍鎳化學(xué)鍍鈀浸金(ENEPIG)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的封裝襯底，其中，所述突出互連結(jié)構(gòu)包括鎳、錫和銅中的一種或多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的封裝襯底，其中，所述第一接觸焊盤是管芯側(cè)電容器焊盤。

9.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

封裝襯底；

橋接管芯，嵌入所述封裝襯底中；

第一接觸焊盤，在所述橋接管芯的周邊外部，所述第一接觸焊盤具有設(shè)置在其上的表面光潔層；

第二接觸焊盤，在所述橋接管芯的周邊內(nèi)部，并通過第一垂直互連通路(過孔)耦合到所述橋接管芯，其中，第一突出互連結(jié)構(gòu)位于所述第一過孔上；

第三接觸焊盤，在所述橋接管芯的周邊內(nèi)部，與所述第二接觸焊盤相鄰，并通過第二過孔耦合到所述橋接管芯，其中，第二突出互連結(jié)構(gòu)位于所述第二過孔上；

第一半導(dǎo)體管芯，通過所述第一突出互連結(jié)構(gòu)耦合到所述封裝襯底；以及

第二半導(dǎo)體管芯，通過所述第二突出互連結(jié)構(gòu)耦合到所述封裝襯底。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一過孔和所述第二過孔之間的間距小于或等于50微米(μm)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一突出互連結(jié)構(gòu)和所述第二突出互連結(jié)構(gòu)分別直接接觸所述第二接觸焊盤和所述第三接觸焊盤。

12.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：

圍繞所述第一過孔和所述第二過孔的介電層。

13.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：

圍繞所述第一過孔和所述第二過孔的阻焊層。

14.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述表面光潔層包括化學(xué)鍍鎳化學(xué)鍍鈀浸金(ENEPIG)。

15.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一突出互連結(jié)構(gòu)和所述第二突出互連結(jié)構(gòu)中的每一個包括鎳、銅和錫中的一種或多種。