[發明專利]添加三碘化物的鈣鈦礦薄膜和電池的制備方法及其電池在審
| 申請號: | 202010219496.7 | 申請日: | 2020-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN111430554A | 公開(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 杭州纖納光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司: | 杭州奧創知識產權代理有限公司 33272 | 代理人: | 楊文華 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 添加 碘化物 鈣鈦礦 薄膜 電池 制備 方法 及其 | ||
1.一種添加三碘化物的鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一、將鈣鈦礦兩種前驅體BX2和AX以及三碘化物MI3分別加入有機溶劑中混合,得到含三碘化物的鈣鈦礦前驅體溶液;
步驟二、通過旋涂、刮涂、狹縫式連續涂布、噴涂中任意一種加工方式將步驟一制備的鈣鈦礦前驅體溶液涂敷在已制備傳輸層的基底表面,得到含有三碘離子的金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜層;
步驟三、用反溶劑對步驟二的金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜層進行處理并退火,得到含三碘離子的鈣鈦礦薄膜;其中,
B為+2價金屬或非金屬離子或基團中的至少一種,包括鉛、錫、鎢、銅、鋅、鎵、鍺、砷、硒、銠、鈀、銀、鎘、銦、銻、鋨、銥、鉑、金、汞、鉈、鉍、釙中至少一種陽離子,X為-1離子或基團中的至少一種,包括碘、溴、氯、砹中至少一種陰離子;A為+1價金屬或非金屬離子或基團中的至少一種陽離子,包括銫、銣、胺基、脒基或者堿族中至少一種;
M為+1價堿金屬Cs、Rb其中的至少一種陽離子,I3-為三碘陰離子;
所述有機溶劑包括主溶劑及溶劑添加劑,主溶劑為酰胺類溶劑、砜類/亞砜類溶劑、酯類溶劑、烴類、鹵代烴類溶劑、醇類溶劑、酮類溶劑、醚類溶劑、芳香烴溶劑中的任意一種,溶劑添加劑為酰胺類溶劑、砜類/亞砜類溶劑、酯類溶劑、烴類、鹵代烴類溶劑、醇類溶劑、酮類溶劑、醚類溶劑、芳香烴溶劑中的任意一種;
所述反溶劑包括氯苯、乙醚、甲苯、乙酸乙酯中任意一種。
2.如權利要求1所述的添加三碘化物的鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述前驅體BX2的濃度為0.5mol/L~2mol/L,前驅體AX加入量是前驅體BX2摩爾量的90%~110%,三碘化物MI3加入量是前驅體BX2摩爾量的0~10%,所述主溶劑為N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亞砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、γ-丁內酯(GBL)中的任意一種,所述溶劑添加劑為DMSO、NMP、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)、1,8-二碘辛烷(DIO)、N-環己基-2-吡咯烷酮(CHP)、氯苯(CB)、甲苯中的至少一種,溶劑添加劑加入量與前驅體BX2的摩爾比為0~300%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





