[發(fā)明專利]一種新型的超低壓降肖特基二極管及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010219339.6
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111261725A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊朔
• 申請（專利權(quán)）人: 上海安微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 合肥律眾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34147
• 代理人: 龍海麗

1.一種新型超低壓降肖特基二極管，其結(jié)構(gòu)包括：刻有多個槽的高濃度襯底、在上表面和槽底部和側(cè)面外延生長的低濃度外延層、在除邊緣外的外延層上表面和槽底部和側(cè)面形成金屬硅化物勢壘層、上表面邊緣絕緣層和用于垂直導通的上下電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型器件，其特征在于，低濃度的外延層是在先刻出槽的高濃度襯底上生長的，并且具有槽的形狀。

3.一種超低壓降肖特基二極管的制備方法，其步驟包括：先光刻高濃度襯底硅片，通過干法或濕法的方式刻蝕出槽，然后氧化或淀積絕緣保護層并光刻進行邊緣保護，在內(nèi)部上表面和槽底部和側(cè)面形成金屬硅化物，最后淀積光刻正、背面金屬電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件制備方法，其特征在于，在高濃度襯底上先光刻腐蝕出槽，槽可以是條形、正方形或其它多邊形圓形等。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底槽寬要大于外延層厚度的兩倍以上。