[發明專利]一種新型鍵合硅片及其制備方法在審
| 申請號： | 202010219325.4 | 申請日： | 2020-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN111326570A | 公開（公告）日： | 2020-06-23 |
| 發明（設計）人： | 楊朔 | 申請（專利權）人： | 上海安微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/36 | 分類號： | H01L29/36;H01L29/06;H01L21/18 |
| 代理公司： | 合肥律眾知識產權代理有限公司 34147 | 代理人： | 龍海麗 |
| 地址： | 200030 上海市徐匯*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 硅片 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種新型鍵合硅片，其結構包括：硅片由高濃度襯底片、擴散硅片直接鍵合而成。
2.根據權利要求1所述的新型鍵合硅片，其特征在于，襯底片為高濃度層，以降低導通電阻；擴散硅片分為高濃擴散區，過渡區，低濃度有源區組成。過渡區寬度為1-20um.鍵合區的氧化層厚度低于2nm.襯底片可采用半導體級純度單晶片，也可采用太陽能光伏級別純度單晶片。
3.一種新型鍵合硅片的制備方法，其步驟包括：先擴散上硅片，形成高濃度區和過渡區，再對擴散和襯底片的拋光面相對進行直接鍵合，然后對擴散減薄拋光，形成根據器件需要的低濃度區。
4.根據權利要求3所述的鍵合硅片制備方法，其特征在于，高溫形成高濃度擴散區，擴散區寬度不超過50um，以保證過渡區低于20um。
5.根據權利要求3所述的鍵合硅片鍵合采用低溫處理和高溫鍵合兩步，拋光面避免有氧化層，氧化層厚度低于2nm。
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