[發(fā)明專利]一種復(fù)合應(yīng)變Si/SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管大信號等效電路模型

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010219080.5
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111490096B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周春宇;王冠宇;閆偉濤;常曉偉;耿欣;蔣巍
• 申請（專利權(quán)）人: 燕山大學(xué)
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;G06F30/39
• 代理公司: 石家莊眾志華清知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(特殊普通合伙) 13123
• 代理人: 張錦紅

1.一種復(fù)合應(yīng)變Si/SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管大信號等效電路模型，其特征在于：包括本征NPN晶體管單元T₁(100)、寄生襯底PNP晶體管單元T₂(200)、襯底匹配網(wǎng)絡(luò)單元、BC寄生等效電路單元、BE寄生等效電路單元，以及發(fā)射區(qū)等效電阻R_E(603)、集電區(qū)等效電阻R_C(604)和寄生基區(qū)等效電阻；

本征NPN晶體管單元T₁(100)的基極、集電極和發(fā)射極分別和第一基區(qū)端B’、第一集電區(qū)端C’以及發(fā)射極E相連；

寄生襯底PNP晶體管單元T₂(200)的基極、集電極和發(fā)射極分別和第一集電區(qū)端C’、第二襯底端S’以及第一基區(qū)端B’相連；

襯底匹配網(wǎng)絡(luò)單元位于襯底端S和第二襯底端S’之間；

BC寄生等效電路單元由內(nèi)BC寄生結(jié)電流i_jBCX1(301)、內(nèi)BC寄生電容C_BCP1(302)、外BC寄生結(jié)電流i_jBCX2(303)、外BC寄生電容C_BCP2(304)、STI-BC寄生電容C_BCP3(305)組成，內(nèi)BC寄生結(jié)電流i_jBCX1(301)和內(nèi)BC寄生電容C_BCP1(302)并聯(lián)于第一基區(qū)端B’和第一集電區(qū)端C’之間，外BC寄生結(jié)電流i_jBCX2(303)和外BC寄生電容C_BCP2(304)并聯(lián)于第二基區(qū)端B”和第一集電區(qū)端C’之間，STI-BC寄生電容C_BCP3(305)位于基極端B和第一集電區(qū)端C’之間；

BE寄生等效電路單元位于第二基區(qū)端B”和發(fā)射極端E之間；

發(fā)射區(qū)等效電阻R_E(603)位于發(fā)射極端E和第一發(fā)射區(qū)端E’之間；

集電區(qū)等效電阻R_C(604)位于集電極端C和第一集電區(qū)端C’之間；

所述寄生基區(qū)等效電阻由寄生內(nèi)基區(qū)等效電阻R_BP1(602)和寄生外基區(qū)等效電阻R_BP2(601)組成，寄生內(nèi)基區(qū)等效電阻R_BP1(602)位于第一基區(qū)端和B’第二基區(qū)端B”之間，寄生外基區(qū)等效電阻R_BP2(601)位于第二基區(qū)端B”和基極端B之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合應(yīng)變Si/SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管大信號等效電路模型，其特征在于：所述本征NPN晶體管單元T₁(100)由傳輸電流i_T(101)、BC結(jié)擊穿電流i_AVL(102)、BE結(jié)復(fù)合電流i_Bhrec(103)、BC結(jié)擴散電容C_dC(104)、BE結(jié)擴散電容C_dE(105)、BC結(jié)勢壘電容C_jCi(106)、BE結(jié)勢壘電容C_jEi(107)、BC結(jié)電流i_jBCi(108)、BE結(jié)電流i_jBEi(109)、BE結(jié)穿通電流i_BEti(110)、發(fā)射區(qū)電流集邊等效電容C_RBi(111)和本征基區(qū)電阻R_Bi(112)組成，傳輸電流i_T(101)位于第一集電區(qū)端C’和第一發(fā)射區(qū)端E’之間，BC結(jié)擊穿電流i_AVL(102)、BC結(jié)擴散電容C_dC(104)、BC結(jié)勢壘電容C_jCi(106)和BC結(jié)電流i_jBCi(108)并聯(lián)于第一集電區(qū)端C’和內(nèi)基區(qū)端B*之間，BE結(jié)復(fù)合電流i_Bhrec(103)、BE結(jié)擴散電容C_dE(105)、BE結(jié)勢壘電容C_jEi(107)、BE結(jié)電流i_jBEi(109)和BE結(jié)穿通電流i_BEti(110)并聯(lián)于第一發(fā)射區(qū)端E’和內(nèi)基區(qū)端B*之間，發(fā)射區(qū)電流集邊等效電容C_RBi(111)和本征基區(qū)電阻R_Bi(112)并聯(lián)于和第一基區(qū)端B’和內(nèi)基區(qū)端B*之間。