[發(fā)明專利]GOA電路、GOA膜層結(jié)構(gòu)、GOA膜層結(jié)構(gòu)制備方法和顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010219047.2 | 申請日: | 2020-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN111403422B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 薛炎 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H10K59/131;H01L21/77;G09G3/36;G02F1/1362;G02F1/13 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | goa 電路 結(jié)構(gòu) 制備 方法 顯示 面板 | ||
本申請涉及一種GOA電路、GOA膜層結(jié)構(gòu)、GOA膜層結(jié)構(gòu)制備方法和顯示面板,所述GOA電路包括修復(fù)線;修復(fù)線與GOA電路的TFT電路區(qū)間隔設(shè)置;在GOA電路中的各行級聯(lián)的GOA單元處于正常狀態(tài)時(shí),修復(fù)線與各行級聯(lián)的GOA單元的Q點(diǎn)金屬線交錯(cuò)相隔且無電接觸;其中,修復(fù)線用于在第N行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線斷裂時(shí),將第N行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線與第N?1行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線進(jìn)行電連接,通過在GOA電路內(nèi)的TFT電路區(qū)增設(shè)修復(fù)線,若出現(xiàn)第N行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線斷裂的情況,通過修復(fù)線將第N行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線與第N?1行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線進(jìn)行電連接,利用第N?1行GOA單元的Q點(diǎn)的電壓驅(qū)動(dòng)第N行GOA單元,從而保證GOA電路的級傳有效,且該修復(fù)方式無需另增工藝制程。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示驅(qū)動(dòng)技術(shù),特別是涉及一種GOA電路、GOA膜層結(jié)構(gòu)、GOA膜層結(jié)構(gòu)制備方法和顯示面板。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展,顯示屏的驅(qū)動(dòng)技術(shù)也取得了長足的進(jìn)步,為提高顯示屏的性能提供了巨大的助力,其中,GOA(Gate?Driver?on?Array,陣列基板行驅(qū)動(dòng))技術(shù)使得顯示屏邊框更窄,厚度更薄,集成度更高,產(chǎn)品形態(tài)更豐富,工藝流程更簡化,未來產(chǎn)品更有競爭力,并可降低制造成本,提高模組良率。
但是,在實(shí)現(xiàn)過程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)技術(shù)中至少存在如下問題:傳統(tǒng)GOA電路中的Q點(diǎn)金屬線易斷裂,導(dǎo)致GOA電路的級傳完全失效。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對傳統(tǒng)GOA電路中的Q點(diǎn)金屬線易斷裂,導(dǎo)致GOA電路的級傳完全失效的問題,提供一種GOA電路、GOA膜層結(jié)構(gòu)、GOA膜層結(jié)構(gòu)制備方法和顯示面板。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請實(shí)施例提供了一種GOA電路,包括修復(fù)線;
修復(fù)線與GOA電路的TFT電路區(qū)間隔設(shè)置;在GOA電路中的各行級聯(lián)的GOA單元處于正常狀態(tài)時(shí),修復(fù)線與各行級聯(lián)的GOA單元的Q點(diǎn)金屬線交錯(cuò)相隔且無電接觸;
其中,修復(fù)線用于在第N行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線斷裂時(shí),將第N行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線與第N-1行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線進(jìn)行電連接。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,修復(fù)線為鉬銅材料制成的金屬線。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,修復(fù)線為鉬鋁材料制成的金屬線。
一種GOA膜層結(jié)構(gòu),包括修復(fù)線層;
修復(fù)線層設(shè)置在GOA膜層結(jié)構(gòu)的玻璃基板上,并掩埋于GOA膜層結(jié)構(gòu)的緩沖層內(nèi);在GOA膜層結(jié)構(gòu)中的各行級聯(lián)的GOA單元處于正常狀態(tài)時(shí),修復(fù)線層與各行級聯(lián)的GOA單元的Q點(diǎn)金屬線層交錯(cuò)相隔于緩沖層;
其中,修復(fù)線層用于在第N行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線層斷裂時(shí),將第N行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線層與第N-1行GOA單元的Q點(diǎn)金屬線層進(jìn)行電連接。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,還包括有源層、柵極絕緣層、柵極層和層間介電層;
層間介電層疊加在緩沖層之上;有源層、柵極絕緣層和柵極層依次疊加在緩沖層之上,且置于層間介電層內(nèi);Q點(diǎn)金屬線層相隔于有源層、柵極絕緣層和柵極層,疊加在緩沖層之上,且置于層間介電層內(nèi)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,還包括源漏金屬層、鈍化層、平坦層和像素定義層;
鈍化層、平坦層和像素定義層依次疊加在層間介電層之上;源漏金屬層的一端插入層間介電層內(nèi),并與有源層機(jī)械連接;源漏金屬層的另一端插入鈍化層內(nèi)。
一種GOA膜層結(jié)構(gòu)制備方法,包括以下步驟:
提供玻璃基板;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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