[發明專利]一種像素結構、陣列基板、顯示裝置和制作方法

有效

• 申請號: 202010218961.5
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111384071B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 曾勇;王洋;鄒振游;席文星;余雪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

1.一種像素結構，包括層疊設置在襯底上的驅動電路和電致發光顯示器件，其特征在于，所述驅動電路包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中

所述第一薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管，響應于輸入的控制信號將輸入的數據信號傳輸至所述第二薄膜晶體管；

所述第二薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管，響應于所述數據信號驅動電致發光器件發光，包括

第一柵絕緣層；

設置在所述第一柵絕緣層上的薄膜層，所述薄膜層的介電常數大于預設置的介電常數閾值，所述介電常數閾值為大于等于20；以及

覆蓋所述第一柵絕緣層和薄膜層的第二柵絕緣層；

所述第一薄膜晶體管為頂柵結構或底柵結構，所述第二薄膜晶體管為頂柵結構或底柵結構。

2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第二薄膜晶體管的第二有源層在所述襯底上的正投影覆蓋所述薄膜層在襯底上的正投影。

3.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管為底柵結構。

4.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述薄膜層的材料為PZT、SrTiO₃和BaTiO₃中的一種。

5.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述薄膜層的厚度大于100nm且小于300nm。

6.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，包括：

襯底；

設置在所述襯底上的所述第一薄膜晶體管的第一柵極；

覆蓋所述第一柵極和襯底的柵絕緣層；

設置在所述柵絕緣層上的所述第一薄膜晶體管的第一有源層，所述第一有源層和所述第一柵極相對應；

設置在所述柵絕緣層上的所述第一薄膜晶體管的第一源極和第一漏極、以及所述第二薄膜晶體管的第二柵極，所述第一源極和第一漏極分別與所述第一有源層電連接；

覆蓋所述第一源極、第一漏極、第二柵極、第一有源層和柵絕緣層的第一柵絕緣層；

設置在所述第一柵絕緣層上的所述第二薄膜晶體管的薄膜層；

覆蓋所述第一柵絕緣層和薄膜層的第二柵絕緣層；

設置在所述第二柵絕緣層上的所述第二薄膜晶體管的第二有源層，所述第二有源層在所述襯底上的正投影覆蓋所述薄膜層在所述襯底上的正投影；

設置在所述第二柵絕緣層上的所述第二薄膜晶體管的第二源極和第二漏極，所述第二源極和第二漏極分別與所述第二有源層電連接；

覆蓋所述第二源極、第二漏極、第二有源層和第二柵絕緣層的平坦化層；

設置在所述平坦化層上的所述電致發光顯示器件。

7.一種陣列基板，其特征在于，包括陣列排布的如權利要求1-6中任一項所述的像素結構。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求7所述的陣列基板。

9.一種制作權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成驅動電路，所述驅動電路包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中所述第一薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管，響應于輸入的控制信號將輸入的數據信號傳輸至所述第二薄膜晶體管；所述第二薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管，響應于所述數據信號驅動電致發光器件發光，包括第一柵絕緣層；設置在所述第一柵絕緣層上的薄膜層，所述薄膜層的介電常數大于預設置的介電常數閾值；以及覆蓋所述第一柵絕緣層和薄膜層的第二柵絕緣層，所述第一薄膜晶體管為頂柵結構或底柵結構，所述第二薄膜晶體管為頂柵結構或底柵結構；

在所述驅動電路上形成電致發光器件。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成第一薄膜晶體管的第一柵極；

形成覆蓋所述第一柵極和襯底的柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成所述第一薄膜晶體管的第一有源層，所述第一有源層和所述第一柵極相對應；

在所述柵絕緣層上形成所述第一薄膜晶體管的第一源極和第一漏極、以及第二薄膜晶體管的第二柵極，所述第一源極和第一漏極分別與所述第一有源層電連接；

形成覆蓋所述第一源極、第一漏極、第二柵極、第一有源層和柵絕緣層的第一柵絕緣層；

在所述第一柵絕緣層上形成薄膜層；

形成覆蓋所述第一柵絕緣層和薄膜層的第二柵絕緣層；

在所述第二柵絕緣層上形成所述第二薄膜晶體管的第二有源層，所述第二有源層在所述襯底上的正投影覆蓋所述薄膜層在所述襯底上的正投影；

在所述第二柵絕緣層上形成所述第二薄膜晶體管的第二源極和第二漏極，所述第二源極和第二漏極分別與所述第二有源層電連接；

形成覆蓋所述第二源極、第二漏極、第二有源層和第二柵絕緣層的平坦化層；

在所述平坦化層上形成電致發光顯示器件。