[發(fā)明專利]一種像素結構、陣列基板、顯示裝置和制作方法

有效

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• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111384070B
• 公開（公告）日: 2023-05-19
• 發(fā)明（設計）人: 曾勇;林濱;陳周煜;李梁梁
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

1.一種像素結構，包括層疊設置在襯底上的驅動電路和電致發(fā)光器件，其特征在于，所述驅動電路包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和穩(wěn)壓器件，其中

所述第一薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，響應于輸入的控制信號將輸入的數(shù)據(jù)信號傳輸至所述第二薄膜晶體管；

所述第二薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管，響應于所述數(shù)據(jù)信號驅動所述電致發(fā)光器件發(fā)光；

所述穩(wěn)壓器件包括第一端和第二端，所述第一端與輸入所述數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線電連接，所述第二端與所述第一薄膜晶體管的源極或漏極電連接，用于穩(wěn)定輸入所述第一薄膜晶體管的源極或漏極的電壓；

所述穩(wěn)壓器件為第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的有源層為C軸對稱的銦鎵鋅氧化物。

2.根據(jù)權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第三薄膜晶體管的源極或漏極中的一個與柵極電連接。

3.根據(jù)權利要求1-2中任一項所述的像素結構，其特征在于，所述第二薄膜晶體管為底柵結構、所述第一薄膜晶體管和第三薄膜晶體管為頂柵結構。

4.根據(jù)權利要求3所述的像素結構，其特征在于，包括：

襯底；

設置在所述襯底上的所述第一薄膜晶體管的第一有源層和所述第三薄膜晶體管的第三有源層；

覆蓋所述第一有源層、第三有源層和襯底的層間介質層；

設置在所述層間介質層上的第一薄膜晶體管的第一柵極、所述第二薄膜晶體管的第二柵極和所述第三薄膜晶體管的第三柵極；

覆蓋所述第一柵極、第二柵極和第三柵極和層間介質層的柵絕緣層；

設置在所述柵絕緣層上的所述第二薄膜晶體管的第二有源層；

設置在所述柵絕緣層上的所述第一薄膜晶體管的第一源極和第一漏極、所述第三薄膜晶體管的第三源極和第三漏極、以及設置在所述第二有源層上的所述第二薄膜晶體管的第二源極和第二漏極，所述第三源極和第三漏極中的一個通過貫通至所述第三柵極的過孔與所述第三柵極電連接，所述第三源極和第三漏極中的另一個與所述第一薄膜晶體管的第一源極和第一漏極中的一個電連接；

覆蓋所述第一源極和第一漏極、第二源極和第二漏極、第二有源層、第三源極和第三漏極、以及柵絕緣層的平坦化層；

設置在所述平坦化層上的所述電致發(fā)光器件。

5.根據(jù)權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述穩(wěn)壓器件為二極管。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括陣列排布的如權利要求1-5中任一項所述的像素結構。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求6所述的陣列基板。

8.一種制作如權利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成驅動電路，所述驅動電路包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和穩(wěn)壓器件，其中所述第一薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管響應于輸入的控制信號將輸入的數(shù)據(jù)信號傳輸至所述第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管響應于所述數(shù)據(jù)信號驅動所述電致發(fā)光器件發(fā)光，所述穩(wěn)壓器件包括第一端和第二端，所述第一端與輸入所述數(shù)據(jù)信號的所述數(shù)據(jù)線電連接，所述第二端與所述第一薄膜晶體管的源極或漏極電連接；

在所述驅動電路上形成電致發(fā)光器件。

9.根據(jù)權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述穩(wěn)壓器件為第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的源極或漏極中的一個與柵極電連接，所述第三薄膜晶體管的有源層為C軸對稱的銦鎵鋅氧化物，所述制作方法包括：

在襯底上形成第一薄膜晶體管的第一有源層和第三薄膜晶體管的第三有源層；

形成覆蓋所述第一有源層、第三有源層和襯底的層間介質層；

在所述層間介質層上形成所述第一薄膜晶體管的第一柵極、所述第二薄膜晶體管的第二柵極和所述第三薄膜晶體管的第三柵極；

形成覆蓋所述第一柵極、第二柵極和第三柵極和層間介質層的柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成所述第二薄膜晶體管的第二有源層；

在所述柵絕緣層上形成所述第一薄膜晶體管的第一源極和第一漏極、所述第三薄膜晶體管的第三源極和第三漏極、以及在所述第二有源層上形成所述第二薄膜晶體管的第二源極和第二漏極，所述第三源極和第三漏極中的一個通過貫通至所述第三柵極的過孔與所述第三柵極電連接，所述第三源極和第三漏極中的另一個與所述第一薄膜晶體管的第一源極和第一漏極中的一個電連接；

形成覆蓋所述第一源極和第一漏極、第二源極和第二漏極、第二有源層、第三源極和第三漏極、以及柵絕緣層的平坦化層；

在所述平坦化層上形成所述電致發(fā)光器件。