[發明專利]一種高溫環境下工作的碳化硅裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 202010218933.3 | 申請日： | 2020-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN111509032A | 公開（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發明（設計）人： | 李昀佶;何佳;陳彤 | 申請（專利權）人： | 泰科天潤半導體科技（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/02;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 福州市鼓樓區京華專利事務所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林云嬌 |
| 地址： | 100000 北京市海淀區西小口路66號中關村東升科技園*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高溫 環境 工作 碳化硅 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種高溫環境下工作的碳化硅裝置的制造方法，其特征在于：包括：
步驟1、選取一SiC襯底片；
步驟2、采用現有技術進行正面金屬淀積及退火，形成肖特基接觸；
步驟3、背面金屬淀積及退火工藝：對SiC襯底片進行金屬淀積之后退火，形成第一金屬層；之后在第一金屬層上再進行金屬淀積，之后形成第二金屬層，形成歐姆接觸。
2.根據權利要求1所述的一種高溫環境下工作的碳化硅裝置的制造方法，其特征在于：所述步驟3進一步具體為：
若SiC襯底片中的襯底是n型SiC襯底：對其進行金屬淀積之后退火，退火溫度大于400度，形成第一金屬層；之后在第一金屬層上再進行金屬淀積，之后形成第二金屬層，形成歐姆接觸；
若SiC襯底片中的襯底是p型SiC襯底：對其進行金屬淀積之后退火，退火溫度大于600度，形成第一金屬層；之后在第一金屬層上再進行金屬淀積，之后形成第二金屬層，形成歐姆接觸。
3.根據權利要求1所述的一種高溫環境下工作的碳化硅裝置的制造方法，其特征在于：所述n型SiC襯底中的第一金屬層厚度為20nm～500nm。
4.根據權利要求1所述的一種高溫環境下工作的碳化硅裝置的制造方法，其特征在于：所述p型SiC襯底中的第一金屬層厚度為厚度20nm～800nm。
5.根據權利要求1所述的一種高溫環境下工作的碳化硅裝置的制造方法，其特征在于：所述n型SiC襯底中的第二金屬層厚度為200nm～2000nm。
6.根據權利要求1所述的一種高溫環境下工作的碳化硅裝置的制造方法，其特征在于：所述p型SiC襯底中的第二金屬層厚度為200nm～2000nm。
7.根據權利要求1所述的一種高溫環境下工作的碳化硅裝置的制造方法，其特征在于：所述n型SiC襯底中的第二金屬層的金屬采用W或Au或Pt或NiW或鈀或銠。
8.根據權利要求1所述的一種高溫環境下工作的碳化硅裝置的制造方法，其特征在于：所述p型SiC襯底中的第二金屬層的金屬采用W或Au或Pt或NiW或鈀或銠。
9.一種高溫環境下工作的碳化硅裝置，其特征在于：所述裝置為權利要求1至8任意一項制造方法制造出來的碳化硅裝置。
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