[發(fā)明專利]將護(hù)膜置于光掩模上的設(shè)備與將護(hù)膜置于光掩模上的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010218633.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111856873A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉子漢;溫志偉;林重宏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/62 | 分類號(hào): | G03F1/62 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 李春秀 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹市*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 將護(hù)膜 置于 光掩模上 設(shè)備 方法 | ||
1.一種將護(hù)膜設(shè)置于光掩模上的設(shè)備,其包括:
蓋,其具有第一側(cè)及與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè),其中所述第二側(cè)面對(duì)所述光掩模;及
氣墊,其置于所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間,其中所述氣墊包括填充空氣的氣室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其進(jìn)一步包括置于所述氣墊與所述光掩模之間的多個(gè)銷。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中所述多個(gè)銷從所述第二側(cè)突出穿過(guò)所述蓋的所述第二側(cè)處的多個(gè)孔徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其中所述多個(gè)孔徑的布置對(duì)應(yīng)于所述氣墊的形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中所述多個(gè)銷經(jīng)布置成四邊形形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其進(jìn)一步包括穿透所述蓋的所述第一側(cè)的氣體入口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其進(jìn)一步包括所述蓋的所述第一側(cè)上方的按壓器,其中所述按壓器經(jīng)設(shè)置以在所述蓋的所述第一側(cè)上方施加應(yīng)力。
8.一種將護(hù)膜設(shè)置于光掩模上的設(shè)備,其包括:
蓋,其具有第一側(cè)及與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè),其中所述第二側(cè)面對(duì)所述光掩模;及
氣體入口,其在所述蓋的所述第一側(cè)上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其進(jìn)一步包括放置于所述蓋的所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間的氣墊,其中所述氣墊包括氣室。
10.一種將護(hù)膜置于光掩模上的方法,其包括:
將墊放置至具有第一側(cè)及與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)的蓋中,其中所述墊包括氣室;
將氣體供應(yīng)至所述氣室中;及
在所述蓋上施加應(yīng)力。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010218633.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動(dòng)設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





