[發(fā)明專利]成膜方法和成膜裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010218432.5
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111793790A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發(fā)明（設計）人: 兼村瑠威;竹澤由裕;熊谷圭太;藤田圭介
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C16/24
• 分類號: C23C16/24;C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種成膜方法，重復按照以下順序連續(xù)地進行以下步驟的循環(huán)：

向收容有基板的處理容器內供給非含鹵硅原料氣體；

向所述處理容器內供給含鹵硅原料氣體；以及

去除所述處理容器內的所述含鹵硅原料氣體。

2.根據(jù)權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

從所述基板的周圍供給所述非含鹵硅原料氣體和所述含鹵硅原料氣體。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

與所述基板的主表面大致平行地供給所述非含鹵硅原料氣體和所述含鹵硅原料氣體。

4.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

在供給所述非含鹵硅原料氣體的步驟之后，不進行所述處理容器內的抽真空和氣體置換，連續(xù)地進行供給所述含鹵硅原料氣體的步驟。

5.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

在供給所述非含鹵硅原料氣體的步驟之后，在將所述處理容器內的壓力維持大致固定的狀態(tài)下進行供給所述含鹵硅原料氣體的步驟。

6.根據(jù)權利要求1至3中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

在供給所述非含鹵硅原料氣體的步驟之后，變更所述處理容器內的壓力設定，連續(xù)地進行供給所述含鹵硅原料氣體的步驟。

7.根據(jù)權利要求1至6中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

去除所述含鹵硅原料氣體的步驟為進行所述處理容器內的抽真空和氣體置換中的至少任一個的步驟。

8.根據(jù)權利要求1至7中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

去除所述含鹵硅原料氣體的步驟為進行所述處理容器內的抽真空的步驟。

9.根據(jù)權利要求1至7中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

去除所述含鹵硅原料氣體的步驟為進行所述處理容器內的氣體置換的步驟。

10.根據(jù)權利要求9所述的成膜方法，其特征在于，

所述氣體置換所使用的氣體為非活性氣體、氫氣、重氫氣中的至少一種以上。

11.根據(jù)權利要求1至10中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

在所述基板的表面形成有凹部。

12.根據(jù)權利要求1至11中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

所述非含鹵硅原料氣體為SiH₄氣體，所述含鹵硅原料氣體為SiH₂Cl₂氣體。

13.根據(jù)權利要求1至12中的任一項所述的成膜方法，其特征在于，

在所述處理容器內，在上下方向上具有規(guī)定間隔地以架狀收容多個基板。

14.一種成膜裝置，具備：

處理容器，其用于收容基板；

氣體供給部，其向所述處理容器內供給氣體；以及

控制部，

其中，所述控制部控制所述氣體供給部，使得重復按照以下順序連續(xù)地進行以下步驟的循環(huán)：

向所述處理容器內供給非含鹵硅原料氣體；

向所述處理容器內供給含鹵硅原料氣體；以及

去除所述處理容器內的所述含鹵硅原料氣體。