[發(fā)明專利]一種SiP晶體生長(zhǎng)調(diào)控方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010217905.X
• 申請(qǐng)日: 2020-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN111334857B
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喻學(xué)鋒;喻彬璐;王佳宏;楊娜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): C30B29/10
• 分類號(hào): C30B29/10;C30B29/62;C30B25/00
• 代理公司: 北京市誠(chéng)輝律師事務(wù)所 11430
• 代理人: 李玉娜

1.一種調(diào)控SiP晶體生長(zhǎng)的方法，其特征在于，包括以下步驟：將硅源、磷源按照SiP化學(xué)計(jì)量比稱量混勻，加入一定物質(zhì)的量比例的輸運(yùn)劑和調(diào)控劑；將其放入反應(yīng)容器中后進(jìn)行抽真空密封，在加熱裝置中高溫?zé)Y(jié)一定溫度和時(shí)長(zhǎng)得到SiP晶體；

所述硅源中Si、磷源中P、輸運(yùn)劑、調(diào)控劑按照物質(zhì)的量比為1：1：0.005-0.5：0.01-0.1稱量混合；

所述燒結(jié)的溫度為900～1200℃，燒結(jié)時(shí)間為12～680h；

所述的輸運(yùn)劑為碘單質(zhì)、碘化物中的一種或多種的組合；

所述調(diào)控劑為單質(zhì)硫、單質(zhì)硒、單質(zhì)碲中的一種或幾種的組合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅源為結(jié)晶態(tài)硅、無定形硅、四碘化硅中的一種或幾種的組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷源為紅磷、黃磷、白磷、纖維磷、紫磷、三碘化磷中的一種或幾種的組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述碘化物為固態(tài)，包括金屬碘化物和非金屬碘化物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加熱裝置為單溫區(qū)管式爐、多溫區(qū)(雙溫區(qū)及以上)管式爐、馬弗爐、箱式爐、微波爐或單晶爐中的一種。