[發(fā)明專利]顯示裝置及顯示裝置的制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010217745.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111403620A | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 制作方法 | ||
本揭示提供一種顯示裝置及顯示裝置的制作方法,所述顯示裝置包括:基板,包括封裝區(qū)域和位于所述封裝區(qū)域至少一側(cè)的綁定區(qū)域;顯示器件層,設(shè)置所述基板上,并位于所述封裝區(qū)域內(nèi);封裝層、覆蓋所述顯示器件層;以及至少一個(gè)擋墻,設(shè)置于所述基板上,并位于所述綁定區(qū)域靠近所述封裝區(qū)域的一側(cè),通過擋墻對(duì)封裝層進(jìn)行阻擋,使得封裝層沉積的邊界得到控制,防止封裝層在位于封裝區(qū)域至少一側(cè)的綁定區(qū)域沉積,提高生產(chǎn)良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示裝置及顯示裝置的制作方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有薄膜封裝技術(shù)中,通過在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件上沉積固態(tài)無機(jī)層,以保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件免受水汽的入侵,導(dǎo)致顯示器件被破壞。
現(xiàn)有的薄膜封裝制程中,通過掩膜板掩蓋非成膜區(qū)域,在基板的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件層上沉積無機(jī)層。由于掩膜板與基板的接觸面并不是平整的,導(dǎo)致掩膜板與基板之間存在微小的縫隙,會(huì)產(chǎn)生掩膜板陰影影響。在進(jìn)行封裝層無沉積工藝時(shí),為保證顯示器件的密閉性,封裝層中的有機(jī)層會(huì)被阻擋在擋墻內(nèi)測(cè),而無機(jī)層則延伸至擋墻外側(cè),以防止有機(jī)層的外漏以及水汽和氧氣的侵入。由于掩膜板的陰影影響,造成封裝層的無機(jī)層的邊界不易控制,如果無機(jī)層延伸至顯示面板的集成電路芯片或柔性電路板的綁定區(qū)域,并在所述綁定區(qū)域成膜形成無機(jī)層,這會(huì)對(duì)后續(xù)的集成電路芯片或柔性電路板的綁定以及面板的切割工藝或者顯示器件特性造成不利的影響。
綜上所述,現(xiàn)有顯示裝置的薄膜封裝制程中存在無機(jī)層的邊界不易控制的問題。故,有必要提供一種顯示裝置來改善這一缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本揭示實(shí)施例提供一種顯示裝置,用于解決現(xiàn)有顯示裝置的薄膜封裝制程中存在無機(jī)層的邊界不易控制的問題。
本揭示實(shí)施例提供一種顯示裝置,包括:
基板,包括封裝區(qū)域和位于所述封裝區(qū)域至少一側(cè)的綁定區(qū)域;
顯示器件層,所述顯示器件層設(shè)置于所述基板上,并位于所述封裝區(qū)域內(nèi);
封裝層,覆蓋所述顯示器件層;以及
至少一個(gè)擋墻,設(shè)置于所述基板上,并位于所述綁定區(qū)域靠近所述封裝區(qū)域的一側(cè)。
根據(jù)本揭示一實(shí)施例,所述擋墻的截面形狀包括矩形、梯形或倒置梯形。
根據(jù)本揭示一實(shí)施例,所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)的表面與所述基板的距離大于所述封裝層遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)的表面與所述基板的距離。
根據(jù)本揭示一實(shí)施例,所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)的表面與所述基板的距離介于4μm~16μm之間,所述擋墻與所述綁定區(qū)域之間的距離大于0.3mm。
根據(jù)本揭示一實(shí)施例,所述擋墻的材料包括環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺和聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一種。
根據(jù)本揭示一實(shí)施例,所述顯示裝置包括至少兩個(gè)所述擋墻,至少兩個(gè)所述擋墻沿所述封裝區(qū)域至所述綁定區(qū)域方向依次排列,且所述擋墻遠(yuǎn)離所述基板一側(cè)的表面與所述基板的距離相等。
根據(jù)本揭示一實(shí)施例,所述擋墻包括第一擋墻和第二擋墻,所述第一擋墻設(shè)置于所述綁定區(qū)域靠近所述封裝區(qū)域的一側(cè),所述第二擋墻設(shè)置于所述第一擋墻與所述綁定區(qū)域之間。
本揭示實(shí)施例還提供一種顯示裝置的制作方法,包括:
提供基板,所述基板包括封裝區(qū)域和位于所述封裝區(qū)域至少一側(cè)的綁定區(qū)域;
在所述基板上沉積形成顯示器件層,所述顯示器件層位于所述綁定區(qū)域內(nèi);
在所述基板上沉積形成擋墻,所述擋墻形成于所述綁定區(qū)域靠近所述封裝區(qū)域的一側(cè);以及
將掩膜板貼合于所述擋墻上,在所述基板上形成封裝層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





