[發明專利]一種表征氧化石墨烯輕度還原的方法在審
| 申請號： | 202010217591.3 | 申請日： | 2020-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN111289776A | 公開（公告）日： | 2020-06-16 |
| 發明（設計）人： | 申月;周園;海春喜;孫艷霞;李翔;曾金波;任秀峰 | 申請（專利權）人： | 中國科學院青海鹽湖研究所 |
| 主分類號： | G01Q60/00 | 分類號： | G01Q60/00;G01Q60/24 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 810008*** | 國省代碼： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表征 氧化 石墨 輕度 還原 方法 | ||
1.一種表征氧化石墨烯輕度還原的方法，其特征在于，包括步驟：
通過原子力顯微鏡對氧化石墨烯進行形貌高度表征；
采用施加第一偏壓的探針對氧化石墨烯進行電荷注入；
通過樣品帶電模式的掃描極化力顯微鏡對注入電荷的氧化石墨烯進行表觀高度成像，在成像時對針尖施加第二偏壓，其中，表觀高度的成像位置與形貌高度的表征區域相同；
對比氧化石墨烯的表觀高度和形貌高度，判斷氧化石墨烯是否發生了還原反應。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電荷注入采用的是納米尺度定點電荷注入技術。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一偏壓的取值范圍在5V～12V或-5V～-12V。
4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二偏壓的取值范圍在5V～12V或-5V～-12V。
5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述電荷注入的時間為10s～5min。
6.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一偏壓和所述第二偏壓的極性相同，若所述表觀高度與所述形貌高度差值的絕對值大于或等于3nm，則表明所述氧化石墨烯已經發生了還原反應；若不然，則表明所述氧化石墨烯還未發生還原反應。
7.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，當所述第一偏壓和所述第二偏壓的極性相反時，若所述表觀高度與所述形貌高度差值的絕對值大于或等于3nm，則表明所述氧化石墨烯已經發生了還原反應；若不然，則表明所述氧化石墨烯還未發生還原反應。
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