[發明專利]OLED顯示裝置在審
| 申請號: | 202010217524.1 | 申請日: | 2020-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN111403448A | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 李遠航 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示裝置 | ||
1.一種OLED顯示裝置,其特征在于,包括:
TFT陣列基板;
OLED器件層,設置于所述TFT陣列基板上;
封裝膜層,設置于所述TFT陣列基板及所述OLED器件層上;
其中,所述封裝膜層包括一有機封裝層,所述有機封裝層中具有抗藍光納米顆粒。
2.根據權利要求1所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述抗藍光納米顆粒包括由內向外包覆的納米金屬氧化物、光吸收劑以及有機保護層。
3.根據權利要求2所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述納米金屬氧化物、所述光吸收劑和所述有機保護層的重量比為1:(0.2~0.5):(0.5~1)。
4.根據權利要求2所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述納米金屬氧化物的微粒直徑范圍在5到15納米之間。
5.根據權利要求2所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述光吸收劑的厚度范圍在5到10納米之間。
6.根據權利要求2所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述有機保護層的厚度范圍在5到15納米之間。
7.根據權利要求2所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述納米金屬氧化物的材質為氧化銦、氧化錫、二氧化鋯、二氧化鈦、三氧化二鈦、三氧化二鈥、三氧化二銻以及五氧化二銻中的任意一種。
8.根據權利要求2所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述有機保護層的材質為丙烯酸樹脂、環氧樹脂以及纖維素有機酯中的任意一種。
9.根據權利要求1所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述封裝膜層還包括第一無機層以及第二無機層,所述第一無機層設置于所述TFT陣列基板及所述OLED器件層上,所述第二無機層設置于所述有機封裝層上;所述第一無機層的材質為氮化硅、氧化硅、三氧化二鋁以及碳化硅中的任意一種,所述第二無機層的材質與所述第一無機層的材質相同。
10.根據權利要求1所述的OLED顯示裝置,其特征在于,所述有機封裝層通過噴墨打印工藝形成于所述第一無機層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





