[發明專利]提高驅動芯片可靠度的電漿源表面處理裝置及方法在審
| 申請號: | 202010217474.7 | 申請日: | 2020-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN111370352A | 公開(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發明(設計)人: | 許原誠;時慶楠;李雨;周德榕 | 申請(專利權)人: | 江蘇匯成光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/48 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人: | 王峰 |
| 地址: | 225128 江蘇省揚州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 驅動 芯片 可靠 電漿源 表面 處理 裝置 方法 | ||
1.一種提高驅動芯片可靠度的電漿源表面處理裝置,包括電漿機,電漿機內設置有反應室,反應室處于兩個相互對應設置的電極之間,兩個電極之間通過電源適配器與射頻電源施加有電壓,其特征在于,所述反應室內豎直設置有至少兩根轉軸,轉軸的下端與電漿機底部轉動連接,轉軸的上端向外延伸出電漿機并與旋轉驅動機構傳動連接,所述轉軸上沿軸向間隔設置有若干圓形轉盤,轉盤與轉軸相垂直,轉盤表面設置有若干晶圓載臺,所述反應室分別與抽真空組件、制程氣體輸送組件相連接,與所述電漿機的門體相對應地設置有晶圓上下料機構。
2.根據權利要求1所述的一種提高驅動芯片可靠度的電漿源表面處理裝置,其特征在于,所述旋轉驅動機構包括支撐架,支撐架呈倒U形,支撐架的兩豎直部之間設置有加強安裝部,支撐架水平部上安裝有豎直設置的電機一,加強安裝部上安裝有減速器,電機一經聯軸器與減速器的輸入端傳動連接,減速器的輸出端經聯軸器與轉軸伸出端傳動連接。
3.根據權利要求1或2所述的一種提高驅動芯片可靠度的電漿源表面處理裝置,其特征在于,所述至少兩根轉軸對稱分布在反應室內,所述轉盤設置有至少三個,轉盤上位于轉軸的前后兩側均設置有至少三排晶圓載臺,靠近轉軸的一排晶圓載臺設置有至少五個,中間的一排晶圓載臺設置有至少三個,遠離轉軸的一排晶圓載臺設置有至少一個,位于轉軸前后兩側的各晶圓載臺對稱分布。
4.根據權利要求1或2所述的一種提高驅動芯片可靠度的電漿源表面處理裝置,其特征在于,所述抽真空組件包括兩個并列設置的真空泵,兩個真空泵分別通過一抽真空分管與三通接頭左右兩側的接口相連,三通接頭頂部接口通過抽真空總管與反應室相連通,抽真空總管上設置有電磁閥一,抽真空分管上設置有手動閥。
5.根據權利要求1或2所述的一種提高驅動芯片可靠度的電漿源表面處理裝置,其特征在于,所述制程氣體輸送組件包括氮氣源,氮氣源經供氣總管依次與流量計、電磁閥二和換熱器相連接,電漿機沿水平方向的截面為矩形,電漿機的四個邊角分別通過一供氣分管與供氣總管相連通,供氣分管呈L形,各供氣分管端部均與反應室相連通;所述反應室底部設置有兩組左右對稱的導流組件,所述導流組件包括若干從反應室邊緣向反應室中部上下交錯排列設置的導流板,導流板的長度方向與反應室的長度方向垂直,上側的導流板與供氣分管出口相對應設置,下側的導流板在豎直方向位于供氣分管出口的下方。
6.根據權利要求1或2所述的一種提高驅動芯片可靠度的電漿源表面處理裝置,其特征在于,所述電漿機一側連接有與反應室相連通的真空計,所述電漿機側面還連接有與反應室相連通的進氣管,進氣管上設置有電磁閥三。
7.根據權利要求1或2所述的一種提高驅動芯片可靠度的電漿源表面處理裝置,其特征在于,所述晶圓上下料機構包括橫向設置的導軌一,導軌一軸線方向與電漿機的長度方向平行,導軌一上滑動連接有移動底座,移動底座上一體設置有電機座,電機座所在平面位于移動底座所在平面的下方,電機座上安裝有電機二,電機二的輸出軸上套設有齒輪,導軌一側面對應齒輪沿長度方向設置有齒條,所述齒輪與齒條相嚙合,所述移動底座上設置有安裝座,安裝座上豎直設置有立架,立架右側中部豎直設置有導軌二,導軌二上通過滑塊滑動連接有水平的升降架,立架上位于導軌二的前后兩側均豎直設置有可轉動的絲杠,兩根絲杠上的絲杠螺母與滑塊對應一側傳動連接,升降架的長度方向與導軌一的長度方向垂直,升降架上沿長度方向設置有導軌三,升降架上通過導軌三滑動連接有料架,料架底部對應導軌三設置有滑槽,升降架的左右兩側均設置有氣缸,氣缸的活塞桿與料架的長度方向平行,兩氣缸的活塞桿伸出端分別通過連接件與料架的左右兩側相連接,料架的前端對應轉盤設置有吸料組件,所述吸料組件包括若干互相平行的橫向桿,各橫向桿與轉盤前側或后側的各排晶圓載臺一一對應設置,前后相鄰的兩根橫向桿之間設置有縱向連接桿,所述橫向桿下側沿長度方向依次間隔設置有若干真空吸盤,各真空吸盤與各晶圓載臺一一對應設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





