[發明專利]一種開關源中功率MOS管的保護電路

在審

• 申請號: 202010217143.3
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111245205A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 李建江
• 申請（專利權）人: 唐山尚新融大電子產品有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M1/32;G01R19/00
• 代理公司: 北京壹川鳴知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11765
• 代理人: 賈彥虹

本發明公開了一種開關源中功率MOS管的保護電路，屬于開關電源技術領域，解決了現有MOS管的體積小、不具有自我保護功能的問題；包括控制驅動電路、檢測分析電路、吸收泄放電路、主功率電路和測量電路，其特征在于，所述的控制驅動電路與檢測分析電路電性連接，控制驅動電路還與吸收泄放電路電性連接；測量電路包括電阻R1、電流檢測表A1、電流檢測表A2、電壓檢測表V1和電壓檢測表V2，電流檢測表A1、電流檢測表A2、電壓檢測表V1和電壓檢測表V2分別與檢測分析電路相連，本發明實現了對MOS管的驅動電流以及電壓的精準測量，有利于控制MOS管的開通和關斷，提高了MOS管的控制性能。

技術領域

本發明涉及開關電源技術領域，具體是一種開關源中功率MOS管的保護電路。

背景技術

MOSFET是金屬氧化物半導體場效應管，隨著電子電力技術的發展，功率MOSFET以其高頻性能好、開關損耗小、輸入阻抗高、驅動功率小、驅動電路簡單等，在開關電源電路中MOS管作為開關得到了越來越廣泛的應用，但由于MOS管的體積小，本身不具有保護功能，當反饋充電或者尖峰脈沖等現象存在時，使主電路出現大的電流和大的電壓，如果保護不及時，或者電壓、電流沒有泄放回路，使母線電壓超過MOS管的承受電壓、電流，就會燒毀MOS管，這樣大大提高了研發的成本，同時，MOS管是電壓控制型晶體管，但是有米勒平臺，所以驅動信號電流和電壓的大小直接影響了對MOS管的控制，不利于電路的延續性以及電路的安全性能。

但由于MOS管的體積小，本身不具有保護功能，當反饋充電或者尖峰脈沖等現象存在時，使主電路出現大的電流和大的電壓，如果保護不及時，或者電壓、電流沒有泄放回路，使母線電壓超過MOS管的承受電壓、電流，就會燒毀MOS管；因此，我們提出一種開關源中功率MOS管的保護電路。

發明內容

本發明的目的在于提供一種開關源中功率MOS管的保護電路，以解決現有MOS管的體積小、不具有自我保護功能的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種開關源中功率MOS管的保護電路，包括控制驅動電路、檢測分析電路、吸收泄放電路、主功率電路和測量電路，其特征在于，所述的控制驅動電路與檢測分析電路電性連接，控制驅動電路還與吸收泄放電路電性連接；測量電路包括電阻R1、電流檢測表A1、電流檢測表A2、電壓檢測表V1和電壓檢測表V2，電流檢測表A1、電流檢測表A2、電壓檢測表V1和電壓檢測表V2分別與檢測分析電路相連。

作為本發明進一步的方案：主功率電路包括變壓器的原邊電感L1和功率開關管Q1。

作為本發明再進一步的方案：吸收泄放電路包括電阻R2、電阻R3、電容C1和功率MOS管Q2。

作為本發明再進一步的方案：電流檢測表A1和電壓檢測表V1用于測量MOS管門極的驅動電流以及驅動電壓。

作為本發明再進一步的方案：電流檢測表A2和電壓檢測表V2用于測量電路母線的電流和電壓。

作為本發明再進一步的方案：電阻R1為滑動驅動電阻，所述檢測分析電路用于測量電路測量的A1的值，檢測流經MOS的驅動電流并做出相應的分析，然后將分析的數據結果送到控制驅動電路，所述的主功率電路用于開關電源中對母線電壓進行斬波控制。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明實現了對MOS管的驅動電流以及電壓的精準測量，有利于控制MOS管的開通和關斷，提高了MOS管的控制性能，減少電源的散熱，增加了開關電源的效率，實現了對開關電源母線電流以及電壓的精準測量，有利于控制母線上的尖峰脈沖，減少了MOS管擊穿的概率，提高了開關電源的可靠性。

附圖說明

圖1為開關源中功率MOS管的保護電路的結構示意圖。

圖2為開關源中功率MOS管的保護電路的控制原理示意圖。