[發(fā)明專利]一種改善柵極氧化層均勻度的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010216931.0
• 申請(qǐng)日: 2020-03-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113451119A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓長(zhǎng)安;朱東亮;宋康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 和艦芯片制造（蘇州）股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京連和連知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278
• 代理人: 楊帆

1.一種改善柵極氧化層均勻度的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)提供已制成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基底；

(2)通過(guò)熱氧化的方式在所述半導(dǎo)體基底上生長(zhǎng)第一熱氧化層；

(3)通過(guò)高溫氧化的方式在所述第一熱氧化層上沉積第二沉積氧化層，從而形成目標(biāo)柵極氧化層；

(4)對(duì)所述目標(biāo)柵極氧化層進(jìn)行退火處理以得到最終柵極氧化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善柵極氧化層均勻度的方法，其特征在于，步驟(2)中生長(zhǎng)第一熱氧化層是在700-900攝氏度且常壓下進(jìn)行。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善柵極氧化層均勻度的方法，其特征在于，步驟(2)中生長(zhǎng)第一熱氧化層是采用干氧氧化工藝。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善柵極氧化層均勻度的方法，其特征在于，步驟(2)中生長(zhǎng)第一熱氧化層是采用濕氧氧化工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善柵極氧化層均勻度的方法，其特征在于，步驟(3)中沉積第二沉積氧化層是在700-900攝氏度且40～60Pa壓力下進(jìn)行。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改善柵極氧化層均勻度的方法，其特征在于，步驟(3)中沉積第二沉積氧化層是在通入SiH₂Cl₂和N₂O氣體的情況下進(jìn)行。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善柵極氧化層均勻度的方法，其特征在于，所述最終柵極氧化層的厚度為180～275A。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的改善柵極氧化層均勻度的方法，其特征在于，所述第一熱氧化層的厚度為10～25A。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的改善柵極氧化層均勻度的方法，其特征在于，所述第二沉積氧化層的厚度為170～250A。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善柵極氧化層均勻度的方法，其特征在于，所述方法還包括步驟(5)，在所述退火處理后，在所述最終柵極氧化層上沉積一層多晶硅。