[發(fā)明專利]一種PVT法生長大尺寸碳化硅單晶的熱場結構

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010216513.1
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111394787A
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設計）人: 左洪波;楊鑫宏;李鐵;閻哲華
• 申請（專利權）人: 哈爾濱奧瑞德光電技術有限公司
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種PVT法生長大尺寸碳化硅單晶的熱場結構，其特征在于它包括中頻加熱線圈、石墨氈保溫層、內坩堝、籽晶托、外坩堝、氣體冷卻裝置和外坩堝蓋，中頻加熱線圈設置在石墨氈保溫層外圈，石墨氈保溫層設置在外坩堝外圈，內坩堝與外坩堝構成可分離式嵌套結構的坩堝，內坩堝內裝填碳化硅原料，籽晶托為內坩堝蓋設置在內坩堝上方，外坩堝的坩堝壁呈梯度分布，由下至上直徑逐漸變小，外坩堝蓋上部設有均勻的氣體冷卻裝置。

2.根據權利要求1所述的一種PVT法生長大尺寸碳化硅單晶的熱場結構，其特征在于所述的外坩堝的坩堝壁由下至上直徑漸變角度為10~40°范圍內。

3.根據權利要求2所述的一種PVT法生長大尺寸碳化硅單晶的熱場結構，其特征在于所述的氣體冷卻裝置包括呈環(huán)形均勻分布在外坩堝蓋上部的冷卻管，冷卻管直徑為10-20mm，冷卻管排布間隙為50-100mm范圍內，冷卻管為鎢管或鉬管，冷卻管內填充的冷卻氣體為氬氣或氮氣。

4.根據權利要求3所述的一種PVT法生長大尺寸碳化硅單晶的熱場結構，其特征在于所述的外坩堝內側設置有保證內、外坩堝可分離的銥金鍍層。