[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010216488.7
• 申請(qǐng)日: 2020-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN112420496A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李永堯;徐振益;曾威翔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;G03F7/16
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 李春秀

1.一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其包括：

提供第一板，其包含第一表面、與所述第一表面相對(duì)的第二表面及從所述第一表面朝向所述第二表面凹進(jìn)的第一凹槽；

提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含第三表面、與所述第三表面相對(duì)的第四表面及在所述第三表面與所述第四表面之間延伸的第一側(cè)壁；

將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)放置在所述第一板上方；及

將底涂材料安置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述第三表面上方，

其中在安置所述底涂材料之后，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述第四表面的外圍部分與所述第一板的所述第一表面接觸。