[發(fā)明專利]基于Ga2

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010216434.0
• 申請(qǐng)日: 2020-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN111244203B
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董志華;周明;曾春紅;林文魁;王育天;劉輝;李仕琦;劉國(guó)華;程知群
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/032
• 分類號(hào): H01L31/032;H01L31/109
• 代理公司: 浙江永鼎律師事務(wù)所 33233
• 代理人: 陸永強(qiáng)

1.基于Ga₂O₃/CuI異質(zhì)PN結(jié)的日光盲紫外探測(cè)器，其特征在于，襯底材料(5)上形成Ga₂O₃/CuI異質(zhì)PN結(jié)，所述Ga₂O₃/CuI異質(zhì)PN結(jié)包括設(shè)置在襯底材料(5)上的N型Ga₂O₃層(4)以及設(shè)置在該Ga₂O₃層(4)部分區(qū)域上的P型CuI層(3)；在所述CuI層(3)上形成正極(2)，在所述Ga₂O₃層(4)的另外區(qū)域上形成負(fù)極(1)；當(dāng)一定波長(zhǎng)的紫外光照射所述Ga₂O₃/CuI異質(zhì)PN結(jié)時(shí)，所述正極(2)和負(fù)極(1)之間將會(huì)產(chǎn)生光生載流子，以此實(shí)現(xiàn)紫外探測(cè)；

所述負(fù)極(1)和Ga₂O₃層(4)形成歐姆接觸；所述正極(2)和CuI層(3)形成歐姆接觸；

所述CuI層(3)為在Ga₂O₃層(4)上形成CuI隔離島；

所述CuI層(3)為在Ga₂O₃層(4)上形成多個(gè)間隔分布的CuI納米條，所述正極(2)設(shè)置在多個(gè)CuI納米條上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于Ga₂O₃/CuI異質(zhì)PN結(jié)的日光盲紫外探測(cè)器，其特征在于，所述Ga₂O₃層(4)與CuI層(3)之間還設(shè)有插入層，該插入層為本征半導(dǎo)體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于Ga₂O₃/CuI異質(zhì)PN結(jié)的日光盲紫外探測(cè)器，其特征在于，所述襯底材料(5)為Ga₂O₃襯底、GaN襯底或SiC襯底中任一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于Ga₂O₃/CuI異質(zhì)PN結(jié)的日光盲紫外探測(cè)器，其特征在于，每個(gè)CuI納米條的長(zhǎng)度為100nm，寬度為1～200nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于Ga₂O₃/CuI異質(zhì)PN結(jié)的日光盲紫外探測(cè)器，其特征在于，所述正極(2)的材料為石墨烯或ITO；所述負(fù)極(1)的材料為Ti/Au。