[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202010216360.0
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111916355A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 傳田俊男;市村裕司
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/48
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金玉蘭;周春燕

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

準備工序，準備基板和外部連接端子；

平板狀框體成型工序，將包含半固化狀態的熱固性樹脂的第1半固化部件成型，所述第1半固化部件呈平板狀且形成有貫穿正面和背面的開口部且在所述正面形成有凹陷的圖案；以及

殼體制造工序，以覆蓋所述第1半固化部件的所述開口部的方式將所述基板配置于所述背面，將所述外部連接端子配置于所述圖案，制造包含固定有所述基板和所述外部連接端子的第1平板狀框體的殼體。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述平板狀框體成型工序中，包括將液狀的熱固性樹脂和粉末狀的無機填料混合，進行加熱而形成粉末狀的半固化原料的工序。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述平板狀框體成型工序中，包括將所述半固化原料填充于預定的第1模具內，按壓所述第1模具內的所述半固化原料而將所述第1半固化部件成型的工序。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述殼體制造工序中，包括將配置有所述外部連接端子和所述基板的所述第1半固化部件加熱而使所述第1半固化部件固化的工序。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述殼體制造工序中的加熱溫度為120℃以上且180℃以下。

6.根據權利要求2～5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述平板狀框體成型工序中，將第2半固化部件成型，所述第2半固化部件呈平板狀且呈與所述第1半固化部件的外周緣對應的環狀且包含半固化狀態的熱固性樹脂，

在所述殼體制造工序中，在配置有所述基板和所述外部連接端子的所述第1半固化部件的所述正面配置所述第2半固化部件，制造進一步含有與所述第1平板狀框體一體化的第2平板狀框體的所述殼體。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述殼體制造工序中，包括將所述第1半固化部件和配置于所述第1半固化部件的所述正面的所述第2半固化部件一起加熱而使所述第1半固化部件和所述第2半固化部件固化的工序。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述第2平板狀框體由與所述第1平板狀框體相同的材料構成。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述平板狀框體成型工序中，包括將所述半固化原料填充于預定的第2模具內，按壓所述第2模具內的所述半固化原料而將所述第2半固化部件成型的工序。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述平板狀框體成型工序包括與所述第1半固化部件一起形成半固化端子支撐部件的工序，所述半固化端子支撐部件呈平板狀且在正面形成有凹陷的支撐圖案且包含半固化狀態的熱固性樹脂，

在所述殼體制造工序中，包括將配置于所述第1半固化部件的所述外部連接端子的從所述第1半固化部件突出的部分配置于所述半固化端子支撐部件的所述支撐圖案的工序。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在所述殼體制造工序中，包括將所述半固化端子支撐部件和所述第1半固化部件一起加熱而使所述半固化端子支撐部件和所述第1半固化部件固化的工序。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述半導體裝置的制造方法還包括在所述殼體制造工序結束后用封裝部件將被所述殼體包圍的區域封裝的封裝工序。