[發明專利]發光裝置和投影儀有效
| 申請號： | 202010216358.3 | 申請日： | 2020-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN111755580B | 公開（公告）日： | 2023-08-01 |
| 發明（設計）人： | 西岡大毅;岸野克巳 | 申請（專利權）人： | 精工愛普生株式會社;學校法人上智學院 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00;G03B21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 鄧毅;黃綸偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 裝置 投影儀 | ||
1.一種發光裝置，該發光裝置具有：
基體；以及
層疊體，其設置于所述基體，具有多個柱狀部，
所述柱狀部具有：
n型的第1半導體層；
p型的第2半導體層；
發光層，其設置在所述第1半導體層與所述第2半導體層之間；以及
第3半導體層，其帶隙比所述發光層的帶隙大，
所述第3半導體層具有：
第1部分，其設置在所述發光層與所述第2半導體層之間；以及
第2部分，其與所述發光層的側面接觸，
所述第2部分的雜質濃度比所述第1部分的雜質濃度低。
2.一種發光裝置，該發光裝置具有：
基體；以及
層疊體，其設置于所述基體，具有多個柱狀部，
所述柱狀部具有：
n型的第1半導體層；
p型的第2半導體層；
發光層，其設置在所述第1半導體層與所述第2半導體層之間；以及
第3半導體層，其帶隙比所述發光層的帶隙大，
所述第3半導體層具有：
第1部分，其設置在所述發光層與所述第2半導體層之間；以及
第2部分，其與所述發光層的側面接觸，
所述柱狀部具有夾著所述發光層的第1引導層和第2引導層，
所述第2引導層設置在所述發光層與所述第2半導體層之間，
所述第1部分設置在所述發光層與所述第2引導層之間。
3.一種發光裝置，該發光裝置具有：
基體；以及
層疊體，其設置于所述基體，具有多個柱狀部，
所述柱狀部具有：
n型的第1半導體層；
p型的第2半導體層；
發光層，其設置在所述第1半導體層與所述第2半導體層之間；以及
第3半導體層，其帶隙比所述發光層的帶隙大，
所述第3半導體層具有：
第1部分，其設置在所述發光層與所述第2半導體層之間；以及
第2部分，其與所述發光層的側面接觸，
所述柱狀部具有夾著所述發光層的第1引導層和第2引導層，
所述第2引導層設置在所述發光層與所述第2半導體層之間，
所述第1部分設置在所述第2引導層與所述第2半導體層之間。
4.根據權利要求1至3中的任一項所述的發光裝置，其中，
所述第3半導體層是p型的半導體層，
所述第3半導體層的雜質濃度比所述第2半導體層的雜質濃度高。
5.根據權利要求1至3中的任一項所述的發光裝置，其中，
所述第2部分的厚度比所述第1部分的厚度小。
6.根據權利要求2至3中的任意一項所述的發光裝置，其中，
所述第2部分的雜質濃度比所述第1部分的雜質濃度低。
7.根據權利要求1至3中的任意一項所述的發光裝置，其中，
所述第3半導體層不與所述第1半導體層接觸。
8.一種投影儀，其具有權利要求1至7中的任意一項所述的發光裝置。
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