[發明專利]用于帶狀注器件的耦合器

在審

• 申請號: 202010216029.9
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111293396A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 舒國響;鄧浚哲;何文龍;黃智捷;林舉建;陳立堅
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H01P5/12
• 分類號: H01P5/12;H01P5/20;H01J23/36
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

1.一種用于帶狀注器件的耦合器，其特征在于，包括主波導、副波導、連接所述主波導和所述副波導的單耦合分支波導、金屬擋板、傾斜短路面以及Bragg反射腔；所述主波導的第一端為所述耦合器的輸入端口，所述主波導的第二端為所述耦合器的隔離端口；所述副波導的第一端為所述耦合器的輸出端口，所述副波導的第二端與所述傾斜短路面連接；所述Bragg反射腔加載在所述主波導下方；所述金屬擋板加載在所述副波導的第二端，并靠近所述傾斜短路面。

2.根據權利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述單耦合分支波導的橫截面形狀為平行四邊形或梯形。

3.根據權利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述單耦合分支波導第一側面和主波導頂面之間的夾角小于90°。

4.根據權利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述單耦合分支波導的寬邊長度為l_b，所述主波導的高度為h_m，其中l_b＞5h_m。

5.根據權利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述Bragg反射腔與所述單耦合分支波導的末端距離為d₁，所述Bragg反射腔的寬度為w_c，其中0＜d₁＜w_c。

6.根據權利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述傾斜短路面與所述副波導底面之間的夾角為銳角。

7.根據權利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述主波導、所述副波導、所述單耦合分支波導、所述短路面和所述Bragg反射腔的寬度均相同。

8.根據權利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述主波導和所述單耦合分支波導組成第一E-T接頭。

9.根據權利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述副波導和所述單耦合分支波導組成第二E-T接頭。

10.根據權利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述主波導、所述副波導、所述單耦合分支波導、所述傾斜短路面和所述Bragg反射腔的材質均為金屬材質。