[發(fā)明專(zhuān)利]一種薄膜器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010216009.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-03-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111285619A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-06-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 四川猛犸半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C03C17/36 | 分類(lèi)號(hào)： | C03C17/36;C03C27/12;B32B17/10 |
| 代理公司： | 廈門(mén)市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35218 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 644000 四川省宜賓市臨港經(jīng)開(kāi)*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 薄膜 器件 | ||
1.一種薄膜器件，包括依次層疊的基板、膜層組件、頂層電介質(zhì)膜層和保護(hù)膜層，所述膜層組件包括沿基板向外依次層疊的電介質(zhì)膜層、銀膜層和犧牲膜層，或所述膜層組件包括沿基板向外依次層疊的電介質(zhì)膜層、犧牲膜層和銀膜層，其特征在于：所述膜層組件還包括BiMg膜層和AgZr膜層，所述BiMg膜層和AgZr膜層層疊在銀膜層與犧牲膜層之間或銀膜層與電介質(zhì)膜層之間；或所述BiMg膜層和AgZr膜層層疊在銀膜層與犧牲膜層之間，同時(shí)所述BiMg膜層和/或AgZr膜層層疊在銀膜層與電介質(zhì)膜層之間，所述BiMg膜層中Bi的含量為10wt％-82wt％，所述AgZr膜層中Zr的含量≥50at％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述BiMg膜層中Bi的含量為20wt％-65wt％；所述AgZr膜層中Zr的含量≥80at％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述BiMg膜層中含有氧；所述AgZr膜層中含有碳。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述BiMg膜層的厚度≤10nm；所述AgZr膜層的厚度為0.05-10nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述犧牲膜層的厚度為0.1-8nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述犧牲膜層的材料為NiCr、Ti、NiCrOx、Cr、NiCrMo、CrOx、MoOx、TiMo、TiMoOx、NiTi、TiOx和NiTiOx中的任意一種或它們的任一組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜層組件的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)膜層組件依次層疊設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜層組件的數(shù)量為三個(gè)，三個(gè)膜層組件依次層疊設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的薄膜器件，其特征在于：所述膜層組件的數(shù)量為四個(gè)，四個(gè)膜層組件依次層疊設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的薄膜器件，其特征在于：該薄膜器件用于制作成夾層薄膜器件或中空薄膜器件。
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