[發(fā)明專利]一種薄膜器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010215727.7 | 申請(qǐng)日： | 2020-03-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111253083A | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 四川猛犸半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C03C17/36 | 分類號(hào)： | C03C17/36;C03C27/12;B32B17/10 |
| 代理公司： | 廈門市精誠(chéng)新創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35218 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 644000 四川省宜賓市臨港經(jīng)開*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 薄膜 器件 | ||
本發(fā)明公開了一種薄膜器件，包括依次向上層疊的基板、膜層組件、頂層電介質(zhì)膜層和保護(hù)膜層，膜層組件包括沿基板向上依次層疊的電介質(zhì)膜層、銀膜層和犧牲膜層，或電介質(zhì)膜層、犧牲膜層和銀膜層，膜層組件還包括鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層，鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層層疊在犧牲膜層上面；或鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層層疊在銀膜層與電介質(zhì)膜層之間；或鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層層疊在犧牲膜層上面，同時(shí)鋅錫氧化物膜層和/或AgTi膜層還層疊在銀膜層與電介質(zhì)膜層之間，鋅錫氧化物膜層中Sn的含量≤30wt％，AgTi膜層中Ti的含量≥50at％。本發(fā)明可以提高膜系在高溫?zé)崽幚淼姆€(wěn)定性，又可提高該薄膜器件的化學(xué)穩(wěn)定性和改善其機(jī)械性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于薄膜器件技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼谋∧て骷?/p>
背景技術(shù)
普通的玻璃沒有隔熱功能，隨著人們節(jié)能意識(shí)的增強(qiáng)，現(xiàn)在很多建筑物或汽車都已使用鍍膜玻璃(薄膜器件)，這些鍍膜玻璃可以起到很好的隔熱效果，使建筑物內(nèi)部或車內(nèi)的舒適度增加。
太陽能電池是用于通過陽光直接生成電流的光伏元件。由于對(duì)清潔能源的需求不斷增加，最近幾年太陽能電池的制造已經(jīng)大幅擴(kuò)大并且還在持續(xù)擴(kuò)大。由于透明導(dǎo)電氧化物膜作為透明涂層和電極的多功能性，其在太陽能電池中得到廣泛使用。在許多情況下，通過增加透明導(dǎo)電氧化物膜的摻雜物降低電阻導(dǎo)致不期望的透明度的降低，同時(shí)透明導(dǎo)電氧化物膜在進(jìn)行高溫?zé)崽幚砗螅湟恍┬阅軙?huì)出現(xiàn)下降。還有為了進(jìn)一步降低透明導(dǎo)電氧化物膜的電阻，則需要更厚的膜層，這會(huì)導(dǎo)致膜層的透過率降低、膜層的應(yīng)力增大而導(dǎo)致膜層的不穩(wěn)定性增加，也增加了膜層的制造成本。
在太陽能電池、建筑及汽車等應(yīng)用領(lǐng)域所使用的薄膜器件，其在制備過程都需要經(jīng)受高溫?zé)崽幚?，因此要求該薄膜器件能夠耐受高溫?zé)崽幚?，同時(shí)具備高的可見光透過率、低的電阻、良好的抗機(jī)械性能及高的穩(wěn)定性等，但現(xiàn)有的薄膜器件無法滿足該要求，有必要對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可以提高膜系在高溫?zé)崽幚淼姆€(wěn)定性，又可提高該薄膜器件的化學(xué)穩(wěn)定性和改善其機(jī)械性能，且具有高的可見光透過率、低的電阻的薄膜器件用以解決上述存在的技術(shù)問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：一種薄膜器件，包括依次向上層疊的基板、膜層組件、頂層電介質(zhì)膜層和保護(hù)膜層，所述膜層組件包括沿基板向上依次層疊的電介質(zhì)膜層、銀膜層和犧牲膜層，或所述膜層組件包括沿基板向上依次層疊的電介質(zhì)膜層、犧牲膜層和銀膜層，所述膜層組件還包括鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層，所述鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層層疊在犧牲膜層上面；或所述鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層層疊在銀膜層與電介質(zhì)膜層之間；或所述鋅錫氧化物膜層和AgTi膜層層疊在犧牲膜層上面，同時(shí)所述鋅錫氧化物膜層和/或AgTi膜層還層疊在銀膜層與電介質(zhì)膜層之間，所述鋅錫氧化物膜層中Sn的含量≤30wt％，所述AgTi膜層中Ti的含量≥50at％。
進(jìn)一步的，所述鋅錫氧化物膜層中Sn的含量≤20wt％；所述AgTi膜層中Ti的含量≥70at％。
更進(jìn)一步的，所述鋅錫氧化物膜層中Sn的含量≤15wt％；所述AgTi膜層中Ti的含量≥85at％。
進(jìn)一步的，所述鋅錫氧化物膜層的厚度≤15nm，優(yōu)選厚度≤10nm；所述AgTi膜層的厚度為0.05-10nm，優(yōu)選厚度1-8nm。
進(jìn)一步的，所述犧牲膜層的材料為NiCr、Ti、NiCrOx、Cr、NiCrMo、CrOx、MoOx、TiMo、TiMoOx、NiTi、TiOx和NiTiOx中的任意一種或它們的任一組合。
進(jìn)一步的，所述犧牲膜層的厚度為0.1-8nm，優(yōu)選厚度為1-5nm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于四川猛犸半導(dǎo)體科技有限公司，未經(jīng)四川猛犸半導(dǎo)體科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010215727.7/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
