[發(fā)明專利]一種上電極設(shè)備以及等離子體處理裝置

在審

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• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111370287A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭亮;劉青松;豆海清;盧剛;張光軒;曾最新
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 劉鶴;張穎玲

1.一種上電極設(shè)備，其特征在于，所述上電極設(shè)備應(yīng)用于等離子體處理裝置中，所述上電極設(shè)備用于對反應(yīng)氣體進(jìn)行加壓，以將所述反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子態(tài)并作用于待處理晶圓上；所述上電極設(shè)備包括：第一部分，所述第一部分為所述上電極設(shè)備的中心部分；其中，

所述第一部分包括面向所述待處理晶圓凸出的第一表面區(qū)域，所述第一表面區(qū)域在第一方向上的寬度大于第二方向上的寬度，所述第一方向和所述第二方向為沿所述上電極設(shè)備平面方向延伸的兩彼此垂直的方向。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電極設(shè)備，其特征在于，

所述第一表面區(qū)域具有中心和外周邊，所述中心部分的厚度沿中心到外周邊的方向減小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電極設(shè)備，其特征在于，所述上電極設(shè)備還包括：圍繞所述第一部分的第二部分；其中，

所述第二部分包括面向所述待處理晶圓內(nèi)凹的第二表面區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的上電極設(shè)備，其特征在于，

所述第一表面區(qū)域的外周邊與所述第二表面區(qū)域的內(nèi)周邊連接，從而沿所述第一表面區(qū)域的外周邊，從凸出的所述第一表面區(qū)域過渡到內(nèi)凹的所述第二表面區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電極設(shè)備，其特征在于，

所述第一部分的中心為所述上電極設(shè)備的中心。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電極設(shè)備，其特征在于，

所述第一表面區(qū)域沿所述第一方向?qū)ΨQ；和/或，

所述第一表面區(qū)域沿所述第二方向?qū)ΨQ。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電極設(shè)備，其特征在于，

所述第一表面區(qū)域的外周邊沿所述第一方向的頂部呈錐形。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電極設(shè)備，其特征在于，

所述第一表面區(qū)域的外周邊沿所述第二方向的頂部呈圓弧形。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或3任一項所述的上電極設(shè)備，其特征在于，

所述第一表面區(qū)域和/或所述第二表面區(qū)域包括多個噴孔，反應(yīng)氣體通過所述多個噴孔輸入至所述等離子體處理裝置的反應(yīng)腔室內(nèi)，并作用在所述待處理晶圓上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上電極設(shè)備，其特征在于，

所述待處理晶圓為三維存儲器的襯底，所述三維存儲器上包括柵極線層狹縫的形成區(qū)域，所述柵極線層狹縫的延伸方向與所述第二方向相對應(yīng)。

11.一種等離子體處理裝置，其特征在于，所述裝置包括：反應(yīng)腔室、晶圓支撐件、下電極設(shè)備以及權(quán)利要求1至10所述的上電極設(shè)備。