[發(fā)明專利]形狀記憶傳感器及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010214427.7
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111497220A
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張學(xué)記;許太林;何學(xué)成
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳大學(xué)
• 主分類號: B29C64/106
• 分類號: B29C64/106;B29C64/30;B33Y40/20;G01D5/02
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 徐漢華

1.一種形狀記憶傳感器的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1：制備液態(tài)的形狀記憶高分子材料；

S2：將液態(tài)的所述形狀記憶高分子材料的粘度調(diào)節(jié)至3D打印粘度；

S3：構(gòu)建傳感器基體的三維數(shù)據(jù)模型；

S4：根據(jù)所述三維數(shù)據(jù)模型，將液態(tài)的所述形狀記憶高分子材料經(jīng)由3D打印得到初加工件；

S5：將所述初加工件依序進(jìn)行保溫和冷卻處理，當(dāng)所述初加工件冷卻至室溫時(shí)，對所述初加工件進(jìn)行外場刺激以對所述初加工件進(jìn)行形狀記憶訓(xùn)練，以形成所述傳感器基體；

S6：在所述傳感器基體的表面覆設(shè)電極材料，以形成所述形狀記憶傳感器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形狀記憶傳感器的制造方法，其特征在于：在所述步驟S1中，所述形狀記憶高分子材料的制造方法包括化學(xué)交聯(lián)法、物理交聯(lián)法、共聚法或分子自組裝法。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形狀記憶傳感器的制造方法，其特征在于：在所述步驟S1中，所述形狀記憶高分子材料包括聚降冰片烯、苯乙烯/丁二烯共聚物、反式1,4—聚異戊二烯、變聯(lián)聚乙烯或乙烯/醋酸乙烯共聚物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形狀記憶傳感器的制造方法，其特征在于：所述步驟S4包括以下步驟：

S41：在液態(tài)的所述形狀記憶高分子材料中加入形狀記憶合金粉末，形成混合物；

S42：將所述混合物經(jīng)由3D打印得到所述初加工件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形狀記憶傳感器的制造方法，其特征在于：在所述步驟S42中，所述3D打印的打印噴嘴直徑為0.04mm～0.3mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形狀記憶傳感器的制造方法，其特征在于：在所述步驟S42中，所述3D打印的掃描打印速度為5mm/s～20mm/s。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形狀記憶傳感器的制造方法，其特征在于：在所述步驟S4中，所述3D打印的成型溫度滿足下列關(guān)系：

10℃—T1≤T≤10℃+T1；

其中，T為所述成型溫度，T1為所述形狀記憶高分子材料的熔點(diǎn)溫度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的形狀記憶傳感器的制造方法，其特征在于：在所述步驟S5中，所述初加工件的保溫溫度至室溫溫度的溫差值滿足下列關(guān)系；

300℃≤T2≤450℃；

其中，T2為所述初加工件的保溫溫度至室溫溫度的溫差值。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的形狀記憶傳感器的制造方法，其特征在于：在步驟S5中，所述外場刺激包括熱刺激、電刺激、磁刺激、光刺激、速度刺激或液體刺激。

10.一種形狀記憶傳感器，其特征在于：通過權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)的所述形狀記憶傳感器的制造方法制得。