[發(fā)明專利]有源矩陣基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010213981.3
• 申請(qǐng)日: 2020-03-24
• 公開（公告）號(hào): CN111755507B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 今井元;大東徹;菊池哲郎;山中昌光;原義仁;川崎達(dá)也;鈴木正彥;西宮節(jié)治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/417
• 分類號(hào): H01L29/417;H01L29/786;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/44;H01L21/34
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 權(quán)鮮枝;張艷鳳

1.一種有源矩陣基板，其特征在于，

具有包含多個(gè)像素區(qū)域的顯示區(qū)域和上述顯示區(qū)域以外的非顯示區(qū)域，

并具備：

基板；

多個(gè)源極總線，其支撐于上述基板，并且使用第1導(dǎo)電膜形成；

下部絕緣層，其覆蓋上述多個(gè)源極總線；

氧化物半導(dǎo)體TFT，其配置于上述多個(gè)像素區(qū)域中的每個(gè)像素區(qū)域，包含：氧化物半導(dǎo)體層，其配置在上述下部絕緣層上；以及柵極電極，其隔著柵極絕緣層配置在上述氧化物半導(dǎo)體層的一部分上；

像素電極，其配置于上述多個(gè)像素區(qū)域中的每個(gè)像素區(qū)域；

多個(gè)柵極總線，其與上述柵極電極使用相同的第2導(dǎo)電膜形成；以及

多個(gè)配線連接部，其支撐于上述基板，包含配置于上述非顯示區(qū)域的多個(gè)端子部，

上述氧化物半導(dǎo)體TFT的上述氧化物半導(dǎo)體層包含：溝道區(qū)域；以及第1區(qū)域和第2區(qū)域，其分別位于上述溝道區(qū)域的兩側(cè)，電阻率比上述溝道區(qū)域的電阻率低，

上述柵極電極電連接到上述多個(gè)柵極總線中的1個(gè)柵極總線，

上述氧化物半導(dǎo)體層配置在上述下部絕緣層上以及形成于上述下部絕緣層的源極用開口部?jī)?nèi)，上述氧化物半導(dǎo)體層的上述第1區(qū)域在上述源極用開口部?jī)?nèi)電連接到使用上述第1導(dǎo)電膜形成的源極電極或上述多個(gè)源極總線中的1個(gè)源極總線，上述第2區(qū)域電連接到上述像素電極，

上述多個(gè)配線連接部中的每個(gè)配線連接部包含：

下部導(dǎo)電部，其使用上述第1導(dǎo)電膜形成；

上述下部絕緣層，其在上述下部導(dǎo)電部上延伸設(shè)置，具有使上述下部導(dǎo)電部的一部分露出的下部開口部；

氧化物連接層，其與上述氧化物半導(dǎo)體層使用相同氧化物膜形成，并且與上述氧化物半導(dǎo)體層分離地配置，上述氧化物連接層配置在上述下部絕緣層上和上述下部開口部?jī)?nèi)，在上述下部開口部?jī)?nèi)電連接到上述下部導(dǎo)電部；

絕緣層，其覆蓋上述氧化物連接層，具有使上述氧化物連接層的一部分露出的上部開口部；以及

上部導(dǎo)電部，其配置在上述絕緣層上和上述上部開口部?jī)?nèi)，在上述上部開口部?jī)?nèi)電連接到上述氧化物連接層，

上述氧化物連接層包含具有比上述氧化物半導(dǎo)體層的上述溝道區(qū)域的電阻率低的電阻率的區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，

上述多個(gè)端子部的上述上部導(dǎo)電部與上述像素電極使用相同導(dǎo)電膜形成，并且與上述像素電極分離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板，

上述多個(gè)源極總線、以及上述多個(gè)配線連接部中的上述下部導(dǎo)電部包含含有Cu、Mo或Al的金屬層，

在上述多個(gè)配線連接部中，上述氧化物連接層在上述下部開口部?jī)?nèi)與上述下部導(dǎo)電部的上述金屬層直接接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有源矩陣基板，

上述金屬層是Cu層或Al層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板，

上述多個(gè)源極總線、以及上述多個(gè)配線連接部中的上述下部導(dǎo)電部包含導(dǎo)電性的氧化物層，

在上述多個(gè)配線連接部中，上述氧化物連接層在上述下部開口部?jī)?nèi)與上述下部導(dǎo)電部的上述氧化物層直接接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有源矩陣基板，

上述氧化物層是In-Zn-O層或In-Ga-Zn-O層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，

當(dāng)從上述基板的法線方向觀看時(shí)，上述多個(gè)端子部中的上述下部開口部與上述上部開口部至少部分地重疊。