[發(fā)明專利]切割帶一體型半導(dǎo)體背面密合薄膜

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010213785.6
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111739832A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 志賀豪士;佐藤慧
• 申請（專利權(quán)）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種切割帶一體型半導(dǎo)體背面密合薄膜，其具備：

切割帶，其具有包含基材和粘合劑層的層疊結(jié)構(gòu)；和

半導(dǎo)體背面密合薄膜，其以能剝離的方式密合于所述切割帶中的所述粘合劑層，

第1試驗片中，對硅晶圓平面在70℃下貼合的第1半導(dǎo)體背面密合薄膜試驗片與所述硅晶圓平面之間的、在25℃、剝離角度180°及拉伸速度300mm/分鐘的條件下的剝離試驗中測定的第2剝離粘合力，比所述切割帶與所述半導(dǎo)體背面密合薄膜之間的、在25℃、剝離角度180°及拉伸速度300mm/分鐘的條件下的剝離試驗中測定的第1剝離粘合力大，

第2試驗片中，對硅晶圓平面在70℃下貼合的第2半導(dǎo)體背面密合薄膜試驗片與所述硅晶圓平面之間的、在60℃、剝離角度180°及拉伸速度300mm/分鐘的條件下的剝離試驗中測定的第4剝離粘合力，比所述切割帶與所述半導(dǎo)體背面密合薄膜之間的、在60℃、剝離角度180°及拉伸速度300mm/分鐘的條件下的剝離試驗中測定的第3剝離粘合力小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割帶一體型半導(dǎo)體背面密合薄膜，其中，所述第1剝離粘合力為0.2～3N/20mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切割帶一體型半導(dǎo)體背面密合薄膜，其中，所述第2剝離粘合力為3N/20mm以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切割帶一體型半導(dǎo)體背面密合薄膜，其中，所述第3剝離粘合力為0.2～3N/20mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切割帶一體型半導(dǎo)體背面密合薄膜，其中，所述第4剝離粘合力為0.2N/20mm以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切割帶一體型半導(dǎo)體背面密合薄膜，其中，經(jīng)過了80℃下1小時的加熱處理的第3試驗片中，經(jīng)過了對硅晶圓平面的70℃下的貼合和其后的80℃下1小時的加熱處理的第3半導(dǎo)體背面密合薄膜試驗片與所述硅晶圓平面之間的、在25℃、剝離角度180°及拉伸速度300mm/分鐘的條件下的剝離試驗中測定的第6剝離粘合力，比所述切割帶與所述半導(dǎo)體背面密合薄膜之間的、在25℃、剝離角度180°及拉伸速度300mm/分鐘的條件下的剝離試驗中測定的第5剝離粘合力大。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的切割帶一體型半導(dǎo)體背面密合薄膜，其中，所述第6剝離粘合力為3N/20mm以上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切割帶一體型半導(dǎo)體背面密合薄膜，其中，經(jīng)過了80℃下1小時的加熱處理的第4試驗片中，經(jīng)過了對硅晶圓平面的70℃下的貼合和其后的80℃下1小時的加熱處理的第4半導(dǎo)體背面密合薄膜試驗片與所述硅晶圓平面之間的、在60℃、剝離角度180°及拉伸速度300mm/分鐘的條件下的剝離試驗中測定的第8剝離粘合力，比所述切割帶與所述半導(dǎo)體背面密合薄膜之間的、在60℃、剝離角度180°及拉伸速度300mm/分鐘的條件下的剝離試驗中測定的第7剝離粘合力大。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的切割帶一體型半導(dǎo)體背面密合薄膜，其中，所述第8剝離粘合力為3N/20mm以上。