[發明專利]一種Mini/Micro LED的顯示面板、顯示裝置在審
| 申請號: | 202010213690.4 | 申請日: | 2020-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN111540761A | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發明(設計)人: | 肖守均;林子平;李劉中;周充祐;張雪 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/60;H01L33/64 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 劉芙蓉 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mini micro led 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種Mini/Micro LED的顯示面板,其特征在于,包括顯示背板,間隔設置在所述顯示背板上的多個陣列分布的Mini/Micro LED,所述Mini/Micro LED的四周為設置有用于散熱的光阻塊;所述光阻塊為摻雜導熱陶瓷材料的光阻塊。
2.根據權利要求1所述的Mini/Micro LED的顯示面板,其特征在于,所述光阻塊為白色光阻塊、黑色光阻塊或灰色光阻塊。
3.根據權利要求1所述的Mini/Micro LED的顯示面板,其特征在于,所述Mini/MicroLED為倒裝型的LED。
4.根據權利要求3所述的Mini/Micro LED的顯示面板,其特征在于,所述Mini/MicroLED包括自下而上依次層疊設置的第一電極、第一半導體層和發光層,與所述第一電極、第一半導體層和發光層形成的整體平行設置的第二電極,以及設置在所述發光層和所述第二電極上的第二半導體層。
5.根據權利要求4所述的Mini/Micro LED的顯示面板,其特征在于,所述第一半導體層為N型摻雜GaN層,所述第二半導體層為P型摻雜GaN層;或
所述第一半導體層為P型摻雜GaN層,所述第二半導體層為N型摻雜GaN層。
6.根據權利要求4所述的Mini/Micro LED的顯示面板,其特征在于,所述發光層為量子阱層。
7.根據權利要求4所述的Mini/Micro LED的顯示面板,其特征在于,所述顯示背板包括基板、設置在所述基板上的驅動電路層、覆蓋所述驅動電路層的平坦層、設置在所述平坦層上的第一接觸電極和第二接觸電極;所述第一接觸電極、第二接觸電極分別與所述Mini/Micro LED的第一電極、第二電極鍵合;所述第一接觸電極通過貫穿所述平坦層的過孔與所述驅動電路層電連接。
8.根據權利要求7所述的Mini/Micro LED的顯示面板,其特征在于,所述驅動電路層包括緩沖層、柵極絕緣層、層間絕緣層和TFT。
9.根據權利要求8所述的Mini/Micro LED的顯示面板,其特征在于,所述TFT包括有源層、柵極、源極和漏極;所述柵極絕緣層設于所述柵極與所述有源層之間;所述源極與所述柵極之間以及所述漏極與所述柵極之間分別由所述層間絕緣層隔斷。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1~9任意一項所述的Mini/Micro LED的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





